化合物半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上的电子传输层；形成在电子传输层上的电子供给层；形成在电子供给层上的源电极和漏电极；形成在电子供给层上的在源电极和漏电极之间的栅电极；形成在电子供给层和栅电极之间的p型化合物半导体层；以及形成在电子供给层和p型化合物半导体层之间的包含n型杂质的化合物半导体层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种化合物半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底之上的电子传输层；形成在所述电子传输层之上的电子供给层；形成在所述电子供给层之上的源电极和漏电极；形成在所述电子供给层之上、在所述源电极和所述漏电极之间的栅电极；形成在所述电子供给层和所述栅电极之间的p型化合物半导体层；以及形成在所述电子供给层和所述p型化合物半导体层之间的包含n型杂质的化合物半导体层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西森理人，吉川俊英，今田忠纮，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：