高电子迁移率晶体管及其形成方法技术

技术编号:9277976 阅读:49 留言:0更新日期:2013-10-25 00:00
本发明专利技术公开了一种高电子载流子迁移率晶体管(HEMT)包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且在成分上与第一III-V化合物层不同。载流子沟道设置在第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。硅化物源极部件和硅化物漏极部件通过第二III-V化合物层与第一III-V化合物层接触。栅电极设置在第二III-V化合物层位于硅化物源极部件和硅化物漏极部件之间的部分的上方。本发明专利技术还公开了形成高电子迁移率晶体管的方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高电子迁移率晶体管(HEMT),包括:第一III?V化合物层;第二III?V化合物层,位于所述第一III?V化合物层上并且在成分上不同于所述第一III?V化合物层,其中,载流子沟道沿所述第一III?V化合物层和所述第二第一III?V化合物层之间的界面设置在第一III?V化合物层中;硅化物源极部件和硅化物漏极部件,通过所述第二III?V化合物层与所述第一III?V化合物层接触;以及栅电极,位于所述第二III?V化合物层在所述硅化物源极部件和所述硅化物漏极部件之间的部分的上方。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚福伟游承儒黄敬源许竣为余俊磊杨富智蔡俊琳
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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