【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种三族氮化镓高电子迁移率晶体管，依序包括：一基板；一氮化镓缓冲层；一氮化镓通道层；一氮化铝间格层；一单原子掺杂层；一阻障层；以及一氮化镓覆盖层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王伟州，黄皆智，黄子轩，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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