【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种IGBT芯片键合方法,采用键合机将IBGT芯片与300μm铝导线键合,其特征在于,键合时控制所述键合机的输出键合力在2.94?3.92N、输出的键合功率在35?45W。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:梁杰,
申请(专利权)人:西安永电电气有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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