一种多层负性光刻胶模具制作方法技术

本发明专利技术一种多层负性光刻胶模具制作方法属于微加工工艺技术研究领域，涉及一种多层SU-8模具的制作方法，应用在微机电系统、组织工程、生物力学等领域。制作方法采用一种正性光刻胶作为牺牲层，在下层SU-8胶上构建一个临时基底，在前两层SU-8胶曝光完成后同时显影；使用正性光刻胶对显影后的图形区域进行填充，在热板上烘干直到填充的光刻胶完全固化；采用湿法研磨抛光技术去除多余的光刻胶并对整个胶层的平整度进行修整。本发明专利技术采用一种正性光刻胶作为牺牲层，因此不需要额外的牺牲层去除工序，显著降低了多层负性光刻胶模具的制作难度。本发明专利技术的制作过程简单，而且与现有的微加工工艺兼容，具有很强的实用性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多层负性光刻胶制作方法，其特征是，采用一种正性光刻胶作为牺牲层，在下层SU?8胶上构建一个临时基底，在前两层SU?8胶曝光完成后同时显影；使用正性光刻胶对显影后的图形区域进行填充，在热板上烘干直到填充的光刻胶完全固化；采用湿法研磨抛光技术去除多余的光刻胶并对整个胶层的平整度进行修整，具体制作方法如下：（1）制作第一层SU?8胶首先在模具的硅基底上制作出对准标记点，而且在用于制作每层SU?8胶结构的掩膜版上也同样制作出对准标记点，利用匀胶机在已经制作好对准标记点的硅片上旋涂SU?8胶；然后，在热板上进行前烘处理，随热板加热到60℃保持10分钟，升至85℃，保持1小时，随板冷却；用紫外光刻机对SU?8胶进行曝光，曝光110s，后烘85℃，时间为1分钟，随热板降温，不显影。（2）制作第二层SU?8胶第二层SU?8胶的制作工艺包括第二层SU?8胶的旋涂、前烘处理、曝光和后烘处理过程都与第一层相同；（3）在SU?8胶的显影剂中，第一层和第二层SU?8胶被同时显影6分钟；显影完成后，在热板上进行烘烤，烘烤温度为85℃，时间为30分钟；（4）正性光刻胶填充采用滴注的方式，用正性光刻胶填充到由前两层SU?8胶组成的型腔中，并在热板上对这种正性光刻胶进行烘烤，使其完全固化。烘烤温度为65℃，烘烤时间为5小时，填充的正性光刻胶覆盖了SU?8结构；（5）采用湿法研磨抛光的方式对填充后的胶层表面进行修整，用正性光刻胶进行研磨抛光，在研磨过程中不断在砂纸上喷洒冷却水，用以减小研磨过程中的摩擦力，并将磨下的胶材料及时带走，去除不必要的多余正胶；研磨直至露出 底层的SU?8胶为止，得到一个平整的正性光刻胶临时基底，并对整个胶层的平整度进行修整；（6）制作第三层SU?8胶。第三层的SU?8胶的旋涂、前烘处理、曝光和后烘处理过程都与第一层相同；（7）对第三层光刻曝光后的光刻胶显影，第三层SU?8胶的显影过程以及显影完成后的烘烤过程都与前两层相同，由于，SU?8胶的显影液溶解正性光刻胶，所以溶解了填充的正性光刻胶牺牲层，完成模具的制作。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军山，张栋，葛丹，尹鹏和，徐征，杜立群，刘冲，王立鼎，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：