半导体元件制造技术

一种半导体元件，包括基板、栅极、绝缘层、源极、漏极、半导体通道层、第一保护层以及第二保护层。栅极配置于基板上。绝缘层覆盖栅极。源极以及漏极位于绝缘层上。半导体通道层配置于绝缘层上，且半导体通道层桥接源极和漏极。第一保护层覆盖半导体通道层、源极以及漏极。第一保护层包含氧化硅。第二保护层配置于第一保护层上。第二保护层包含氮化硅，且第二保护层的氢浓度为约2.0×1022atom/cm3至约3.11×1022atom/cm3。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体元件，包括：一基板；一栅极，配置于该基板上；一绝缘层覆盖该栅极；一源极以及一漏极，位于该绝缘层上；一半导体通道层，配置于该绝缘层上，且该半导体通道层桥接该源极和该漏极；一第一保护层，覆盖该半导体通道层、该源极以及该漏极，且该第一保护层包含氧化硅；以及一第二保护层，配置于该第一保护层上，其中该第二保护层包含氮化硅，且该第二保护层的氢浓度为约2.0×1022atom/cm3至约3.11×1022atom/cm3。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈信学，陈勃学，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：