一种下转换发光多孔硅材料及其制备和应用制造技术

本发明专利技术公开了一种下转换发光多孔硅材料及其制备方法，在银离子辅助下，采用化学–电化学腐蚀相结合的方法，可以大面积制备具有整齐孔隙结构的多孔硅，同时生成的多孔硅具有很强的发光性能，在波长500nm以下的光的激发下，可以产生波峰位于600～1000nm的近红外光。本发明专利技术还公开了该下转换发光多孔硅材料的应用，将制备的多孔硅材料从硅片剥离后经研磨后配制成溶液，旋涂在晶硅太阳能电池的表面，使得太阳能电池片的下转换发光效应明显增强，具有很强的时效性，将它与传统的电池制备工艺简单结合即可制得多孔硅下转换晶硅太阳能电池，整个生产工艺简单，技术成熟，具有一定的工业应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种下转换发光多孔硅材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:（1）将电阻率为0.001～500Ω.cm的硅片清洗后，用稀释的氢氟酸溶液处理，除去硅片表面的氧化层；（2）利用氢氟酸和硝酸银混合溶液对硅片表面进行腐蚀，同时生成Si?Ag键；（3）除去硅片表面多余的银离子，然后将硅片放入由氢氟酸、双氧水、无水乙醇配制而成的电解液中进行电化学腐蚀，得到所述的下转换发光多孔硅材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李东升，梁锋，汪雷，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：