一种提高增益的放大器及其设计方法技术

本发明专利技术公开一种提高增益的放大器及其设计方法，该放大器结构由一个基本的差分对结构改进而成，在此基础上增加了两个负阻单元，其中第一个负阻单元加在主放大管的源极，用来增大主放大管的跨导，第二个负阻单元和负载管并联，用来增大输出电阻，通过增大跨导和输出电阻的方法，提高电路的增益。本发明专利技术通过匹配负阻单元与原MOS管的尺寸，可以使得放大器的增益提高一个确定的倍数。本发明专利技术提高了增益，具有结构简单，增益可精确控制的特点。经过验证，通过匹配晶体管的尺寸，可以提高电路增益10倍以上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高增益的放大器设计方法，其特征在于，所述方法为：主放大管为M1、M1n，M1的漏端连接到M3的栅端、M3的漏端、M4的漏端、M4n的栅端和输出端Vout+，M1的栅端连接到Vin+，M1的源端连接到M2的漏端和M2n的栅端；差分的主放大管M1n的漏端连接到M3n的栅端、M3n的漏端、M4n的漏端、M4的栅端和输出端Vout?，M1n的栅端连接到Vin?，M1n的源端连接到M2n的漏端和M2的栅端；M2和M2n构成了第一个负阻单元，M2的漏端连接到M2n的栅端和M1的源端，M2的栅端连接到M2n的漏端和M1n的源端，M2的源端连接到M5的漏端；对应的差分管M2n的漏端连接到M2的栅端和M1n的源端，M2n的栅端连接到M2的漏端和M1的源端，M2n的源端连接到M5的漏端；负载管M3的漏端接M3的栅端、M4的漏端、M4n的栅端，M1的漏端和Vout+，M3的栅端和漏端的接法同样，M3的源端接电源VDD；差分的负载管M3n的漏端接M3n的栅端、M4n的漏端、M4的栅端，M1n的漏端和Vout?，M3n的栅端和漏端的接法同样，M3n的源端接电源VDD；M4和M4n构成了第二个负阻单元，M4的漏端连接到M3的栅端、M3的漏端、M4n的栅端和Vout+，M4的栅端连接到M4n的漏端、M3n的漏端和栅端、M1n的漏端和Vout?，M4的源端接VDD；对应的差分管M4n的漏端连接到M3n的栅端、M3n的漏端、M4的栅端和Vout?，M4n的栅端连接到M4的漏端、M3的漏端和栅端、M1的漏端和Vout+，M4n的源端接VDD；尾电流源M5的漏端接M2和M2n的源端，M5的栅端接偏置电压Vbias，M5的源端接地。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡正飞，张莉，黄敏娣，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：