【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法,其特征在于高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法是按以下步骤进行的:一、将单晶硅片衬底用丙酮超声波清洗15min~30min,再用酒精超声清洗15min~30min,最后用去离子水超声清洗15min~30min得到干净的单晶硅片衬底;二、将步骤一得到的干净的单晶硅片衬底置于磁控溅射真空仓内的加热台上,将真空仓内抽成真空,使得真空仓内气体压强为1.0×10?4Pa~9.9×10?4Pa;启动加热装置,使真空仓内从室温加热至100℃~650℃,在温度为100℃~650℃的条件下向真空仓内以10sccm~100sccm的气体流量速度通入氩气,待真空仓内气体压强升至0.1Pa~2Pa时,启辉反溅清洗干净的单晶硅片衬底10min~20min后,插入介于靶材和干净的单晶硅片衬底中间的挡板,施加溅射功率启辉,在温度为100℃~650℃、碳靶上的溅射功率为60W~200W、镍靶上的溅射功率为60W~200W和氩气气体流量为10sccm~100sccm的条件下预溅射3min~5min,在干净的单晶硅片衬底上加80V~200V的脉冲负偏压,设置占空比为10%~90%,移开挡 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:朱嘉琦,于海玲,杨振怀,韩杰才,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:
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