【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：形成在衬底之上的第一半导体层；形成在所述第一半导体层之上的第二半导体层；形成在所述第二半导体层之上的电极；以及形成在所述第二半导体层上的第三半导体层；其中，所述第三半导体层形成为围绕其中形成有所述电极的每个元件，以及其中，所述第三半导体层是其导电型的极性与在所述第一半导体层中产生的载流子的极性相反的半导体层。
【技术特征摘要】
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