【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构；形成在所述化合物半导体层叠结构上方的电极；以及形成在所述化合物半导体层叠结构与所述电极之间的p型半导体层，其中所述p型半导体层具有在平行于所述化合物半导体层叠结构的表面的方向上的拉伸应变。
【技术特征摘要】
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