【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种化合物半导体器件，包括：层叠化合物半导体结构；以及形成在所述层叠化合物半导体结构上的电极，其中在所述层叠化合物半导体结构的与所述电极对准的下部区域中p型杂质局域化为使得在所述层叠化合物半导体结构中生成的二维电子气的一部分消失的深度。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。