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一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路制造技术

技术编号:9197337 阅读:182 留言:0更新日期:2013-09-26 01:37
本发明专利技术涉及集成电路技术领域,特别涉及一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路。该电路包括:PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链,上述部件组成一个三角波产生电路。本发明专利技术提供的测量阈值电压和饱和漏电流退化电路,采用将三角波产生电路与MOS晶体管的阈值电压及饱和漏电流的退化测试结合起来,将器件的特性与电路行为结合起来,可以从外部改变电路的工作条件,并且可以在各种不同的测试条件下,直接简便地测出阈值电压和饱和漏电流的退化情况。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种测量阈值电压和饱和漏电流退化电路,其特征在于,包括:PMOS晶体管、NMOS晶体管、负载电容、电压比较器、第一数级反相器链和第二数级反相器链,上述部件组成一个三角波产生电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:何燕冬艾雷洪杰张钢刚张兴
申请(专利权)人:北京大学
类型:发明
国别省市:

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