【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包含：横向HEMT结构，其包含第一负载电极、第二负载电极、控制电极、两个不同III族氮化物半导体化合物之间的异质结，以及布置在异质结上的层，该层包含III族氮化物半导体化合物和阻碍该层中电流流动的至少一个阻挡物。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：G普雷希特尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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