用于HEMT器件的等离子体保护二极管制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件。该半导体器件包括硅衬底。第一III-V族化合物层设置在硅衬底上方。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方。半导体器件包括设置在第一III-V族化合物层并且部分设置在第二III-V族化合物层中的晶体管。半导体器件包括设置在硅衬底中的二极管。半导体器件包括连接至二极管并且延伸穿过至少第一III-V族化合物层的通孔。通孔电连接至晶体管或者邻近晶体管设置。本发明专利技术提供了用于HEMT器件的等离子体保护二极管。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，至少部分地形成在硅衬底上方的III?V族化合物层中；以及二极管，形成在所述硅衬底中，所述二极管电连接至所述HEMT器件和邻近所述HEMT器件设置的接触焊盘中的一种。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄敬源，许竣为，游承儒，姚福伟，余俊磊，杨富智，陈柏智，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：