新型高密度多层线路芯片倒装封装结构及制作方法技术

本发明专利技术涉及一种新型高密度多层线路芯片倒装封装结构及其制造方法，所述结构包括它包括层线路层（10）、芯片（2）和二层线路层（11），所述一层线路层（10）和绝缘材料（6）背面设置有外层油墨层（9），所述外引脚（7）处设置有金属球（8），所述二层线路层（11）正面设置有内引脚（12），所述二层线路层（11）和内引脚（12）周围设置有内层油墨层（1），所述芯片（2）倒装于内引脚（12）正面，所述芯片（2）外围包封有塑封料（4）。本发明专利技术的有益效果是：降低了芯片封装载板的厚度，实现超薄高密度封装；可靠性的等级提高；真正地做到高密度线路的技术能力；可彻底解决传统基板在封装工艺中的翘曲问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种新型高密度多层线路芯片倒装封装结构，其特征在于：它包括一层线路层（10）、芯片（2）和二层线路层（11），所述一层线路层（10）和二层线路层（11）之间通过铜柱层（5）相连接，所述铜柱层（5）与铜柱层（5）之间以及一层线路层（10）与一层线路层（10）之间均填充有绝缘材料（6），所述一层线路层（10）和绝缘材料（6）背面设置有外层油墨层（9），所述外层油墨层（9）曝光显影露出一层线路层（10）背面的外引脚（7），所述外引脚（7）处设置有金属球（8），所述二层线路层（11）正面设置有内引脚（12），所述二层线路层（11）和内引脚（12）周围设置有内层油墨层（1），所述芯片（2）倒装于内引脚（12）正面，所述芯片（2）外围包封有塑封料（4）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈灵芝，夏文斌，廖小景，邹建安，仰洪波，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：