【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其是使用具有上金属模具和下金属模具的成型金属模具来制造半导体装置的方法，其特征在于，其具有：配置工序，将半导体元件搭载基板配置在加热至室温～200℃的前述成型金属模具的前述上金属模具和前述下金属模具中的一个金属模具上，并将半导体元件非搭载基板配置在另一个金属模具上；一体化工序，利用配置有前述半导体元件搭载基板和前述半导体元件非搭载基板的前述成型金属模具，使热固化性树脂成型，由此来使前述半导体元件搭载基板和前述半导体元件非搭载基板一体化；及，单颗化工序，将该一体化的基板从前述成型金属模具中取出，并切割，来进行单颗化。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：塩原利夫，关口晋，秋叶秀树，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。