【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种含有非极性m面GaN缓冲层的InN半导体器件的制备方法,所述的制备方法包括如下步骤:(1)将γ面LiAlO2衬底基片置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中,并向反应室通入氢气,对衬底进行热处理,反应室的起始真空度小于2×10?2Torr,衬底加热温度为800?1000℃,时间为3?5min,通入混合气之后反应室压力为10?700Torr;(2)在温度为500?600℃的情况下,在热处理后的γ面LiAlO2衬底基片上生长厚度为30?100nm的低温AlN成核层;(3)在温度为900?1050℃的情况下,在所述低温AlN成核层上生长厚度为60?200nm高温AlN层;(4)在温度为900?1050℃的情况下,在所述高温AlN层上生长厚度为1000?5000nm非极性m面GaN缓冲层;(5)将生长完缓冲层的m面GaN材料放入等离子体增强化学气相淀积(PECVD)反应室,并向反应室中通入氨气和硅烷在200?250℃,压力为600?800mTorr下反应生成一层SiNx作为材料的插入层,反应时间为3?9s;(6)把PECVD淀积过SiNx的材料置于MOCVD反应室中,在温度为1000? ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:许晟瑞,曹荣涛,张进成,郝跃,孙文豪,葛莎莎,
申请(专利权)人:西安电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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