【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供基底；在所述基底上依次形成负光刻胶层和正光刻胶层；对所述负光刻胶层和正光刻胶层进行曝光，所述曝光的曝光能量具有第一阈值和第二阈值，且第一阈值大于第二阈值，在第一阈值的曝光能量作用下在正光刻胶层中形成第一曝光区，在第二阈值的曝光能量作用下在负光刻胶层中形成第二曝光区，第二曝光区的宽度大于第一曝光区的宽度；进行第一显影，去除正光刻胶层中的第一曝光区，形成第一开口，所述第一开口暴露负光刻胶层表面；沿所述第一开口刻蚀负光刻胶层的第二曝光区，形成第二开口，所述第二开口暴露基底表面；去除第一显影后的正光刻胶层；进行第二显影，去除负光刻胶层的第二曝光区以外的光刻胶，形成双图形化的负光刻胶图形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡华勇，伍强，顾一鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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