一种细晶高强度PMN-PZT压电陶瓷材料的生产方法技术

本发明专利技术公开了一种细晶高强度PMN-PZT压电陶瓷材料的生产方法，其生产方法的步骤如下：称料：以PbO、MgO、Nb2O5、TiO2、ZrO2、Bi2O3、MnO2为原料，按化学计量比(x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x)Pb(TiyZr1-y)O3-(a)Bi2O3-(b)MnO2-(c)Nb2O5-(d)ZnO-(e)SnO2(x＝0.35～0.40，y＝0.40～0.70，a、b、c、d、e＝0～1％)称量，经过球磨、煅烧、二次球磨、造粒、压片、排粘、烧结等工序后得到产品。通过上述方式，本发明专利技术能够大大降低现有技术中PMN-PZ-PT的合成温度，陶瓷样品致密度高，晶粒细小(～2μm)、晶粒大小均匀，断裂模式也实现了从沿晶断裂模式向穿晶断裂模式的转化，即晶界强度得到了大大的提高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种细晶高强度PMN?PZT压电陶瓷材料的生产方法，其特征在于：其生产方法的步骤如下：1)、称料：以PbO、MgO、Nb2O5、TiO2、ZrO2、Bi2O3、MnO2为原料，按化学计量比(x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3?(1?x)Pb(TiyZr1?y)O3?(a)Bi2O3?(b)MnO2?(c)Nb2O5?(d)ZnO?(e)SnO2(x＝0.35～0.40，y＝0.40～0.70，a、b、c、d、e＝0～1％)称量；2)、球磨：行星球磨(球磨介质为二氧化锆球)以去离子水为湿磨介质，转速340r/min，球磨时间8～16h；3)、煅烧：球磨料110℃烘干并混匀后进行煅烧，煅烧温度800～850℃，煅烧时间3～5h；4)、二次球磨：行星球磨(球磨介质为二氧化锆球)以去离子水为湿磨介质，转速340r/min，球磨时间16～24h；5)、造粒、压片：二次球磨料110℃烘干并混匀后加入8wt％的PVA造粒，并在250～300MPa下干压成型(φ13×1mm)；6)、排粘：由室温经5～10h升温至550℃～600℃，保温2～5h进行排粘；7)、烧结：烧结温度900～950℃，保温时间3～5h。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宁海霞，
申请(专利权)人：苏州市职业大学，
类型：发明
国别省市：