【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种提高了BVcbo的双极型晶体管,其特征在于:包括高浓度掺杂的N?型硅衬底(50),所述N?型硅衬底(50)的顶部设置有N?型外延硅(52),所述N?型外延硅(52)的两侧通过沟槽、氧化和平坦化工艺技术形成有平坦氧化层(62),所述两个平坦氧化层(62)之间的N?型外延硅(52)的上表面设有本征基区(66),所述本征基区(66)的两侧设有非本征基区(68),所述两个非本征基区(68)之间还设置有发射区(70);所述两个平坦氧化层(62)之间通过热过程杂质激活形成的第二冶金结(64)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈强,张复才,沈美根,多新中,郑立荣,姚荣伟,
申请(专利权)人:江苏博普电子科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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