用于连接半导体装置的高纯度铜细线制造方法及图纸

技术编号:9116951 阅读:196 留言:0更新日期:2013-09-05 06:15
通过制备使其截面组织成为双重组织的高纯度铜细线,铜细线的机械强度增加,并因此提供亚毫米直径的高纯度铜细线,其最适用于在短时间内反复进行多次开/关操作的高温功率半导体。本发明专利技术涉及具有氧化物膜并且由纯度为99.999至99.99994质量%的铜制成的高纯度铜细线;该铜细线具有这样的截面组织,其中,10颗最大的晶粒共同地具有占截面组织总面积的5-25%的晶粒面积,且此晶粒面积的80%以上在相对于表面层的内侧,所述表面层被定义为具有细线直径的1/20以下的厚度;该高纯铜细线通过连续拉拔制成,并用于连接半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:三上道孝合濑昌章中岛伸一郎三村利孝弥永幸弘市川司高田晃
申请(专利权)人:田中电子工业株式会社
类型:
国别省市:

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