铝衬垫形成方法技术

技术编号:9114353 阅读:153 留言:0更新日期:2013-09-05 03:32
本发明专利技术揭示了一种铝衬垫形成方法,包括将铝衬垫分至少两次沉积,其中,第一次沉积的温度低于第二次沉积的温度。本发明专利技术的铝衬垫形成方法,第一次沉积在低温下生长薄的第一铝层,第二铝层在高温下生长,由于所述第一铝层生长的环境温度低,所以,所述第一铝层晶粒较小,表面平整,表面介质层也得到了有效的控制;在所述第二铝层高温环境下生长时,由于有了冷却缓冲时间,晶圆表面温度会下降,而且所述第一铝层介质表面平整,从而容易释放应力,减少了须状缺陷,使得在后续的金属线图形形成过程中容易被蚀刻掉,从而避免或减少铝衬垫的缺陷,以提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种铝衬垫形成方法,包括将铝衬垫分至少两次沉积,其中,第一次沉积的温度低于第二次沉积的温度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵万金刘睿龙吟倪棋梁陈宏璘
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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