一种双发射区双极型微波功率晶体管及其制备方法技术

技术编号:9061455 阅读:146 留言:0更新日期:2013-08-22 00:37
本发明专利技术是一种双发射区双极型的微波功率晶体管及其制备方法,其特征在于,它采用叉指梳状结构,并且每个单指发射极下方包括两个发射区。本发明专利技术的有益效果是,1)减少了热重叠面积,增加了散热面积。2)拓宽了电流的导通路径,降低了导通电阻。3)散热的改善有利于提升器件的热性能与可靠性。4)导通电阻的降低有利于提高器件的工作效率。制作方法对器件获得的良好效果有:1)直流测试结果表明,采用双发射区的器件的集电极大电流数值比相同设计参数的常规器件大10%~20%。2)共基极应用的微波测试结果表明,采用双发射区的器件其顶降、效率等参数都优于常规的双极型器件,尤其在长脉宽条件下,优势更加明显。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双发射区双极型的微波功率晶体管,其特征在于,它采用叉指梳状结构,并且每个单指发射极下方包括两个发射区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘洪军蒋幼泉
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所
类型:发明
国别省市:

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