一种以MOS管为高端开关的电路的输出短路保护电路制造技术

本申请公开了一种以MOS管为高端开关的电路的输出短路保护电路，所述以MOS管为高端开关的电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管T1、稳压二极管D1和MOS管Q1；所述输出短路保护电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第二三极管T2、第三三极管T3和电容C1；C1的一端接地，另一端分别与R3和R4的一端连接；R3的另一端接于T2的基极，R4的另一端接于T1的集电极；T2的集电极接于D1的阳极，发射极接于T3的集电极；T3的基极接于Q1的漏极；T3的发射极接于Q1的源极。本申请通过三极管、电阻和电容组成保护电路，当输出端短路接地时，将MOS管关闭，避免了MOS管被烧毁，解决了现有技术的问题。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种以MOS管为高端开关的电路的输出短路保护电路，其特征在于，所述以MOS管为高端开关的电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管T1、稳压二极管D1和MOS管Q1；所述第一电阻R1的一端作为输入端，另一端与所述第一三极管T1的基极连接；所述第一三极管T1的发射极接地，所述第一三极管T1的集电极通过所述第二电阻R2分别与所述稳压二极管D1的阳极和所述MOS管Q1的栅极连接；所述稳压二极管D1的阴极和MOS管Q1的源极分别与电源连接；所述MOS管Q1的漏极作为输出端；所述输出短路保护电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第二三极管T2、第三三极管T3和电容C1；所述电容C1的一端接地，另一端分别与所述第三电阻R3和第四电阻R4的一端连接；所述第三电阻R3的另一端接于所述第二三极管T2的基极，所述第四电阻R4的另一端接于所述第一三极管T1的集电极；所述第二三极管T2的集电极接于所述稳压二极管D1的阳极，所述第二三极管T2的发射极接于所述第三三极管T3的集电极；所述第三三极管T3的基极接于所述MOS管Q1的漏极；所述第三三极管T3的发射极接于所述MOS管Q1的源极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贾春冬，
申请(专利权)人：北京经纬恒润科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：