本发明专利技术具备：成膜工序，在具有透光性的基材(2)的至少一个表面形成透光性导电膜薄膜(11)；辅助电极形成工序，在薄膜(11)的至少一部分设定起透明电极(3)作用的电极区域(3a)，并以覆盖电极区域(3a)周缘的至少一部分的方式层压电阻低于薄膜(11)的辅助电极(4a)；配线形成工序，将一端连接到辅助电极(4a)的配线(4b)层压在薄膜(11)上；抗蚀剂层压工序，以覆盖整个电极区域(3a)和至少一部分辅助电极4a的方式层压抗蚀剂(12)；以及导电膜去除工序，去除在具有透光性的基材(2)上形成的薄膜(11)中位于不与抗蚀剂(12)、辅助电极(4a)、以及配线(4b)重叠的位置的薄膜(11)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有透明电极的。本申请基于并要求于2011年2月4日提交的日本专利申请2011-022850号的优先权，其全部内容结合于此，作为参考。
技术介绍
一直以来，为了改善信息终端的用户界面，对用于检测使用者的手指等的触摸情况的传感器片的各种结构进行研究。例如，专利文献I中公开有利用静电电容方式检测与人的手指等之间的静电电容的变化的传感器。专利文献I记载的传感器在透明电极外周的至少一部分上设置有比透明电极电阻低的辅助电极，能够抑制检测灵敏度不均。在先技术文献专利文献专利文献1:特开2006-266695号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题但是，专利文献I记载的传感器，其制造工序中透明电极和辅助电极的位置产生偏移时，存在透明电极和辅助电极的导通面积因偏移量而不均的可能性。另外，如果为了防止透明电极和辅助电极的导通面积`因偏移量而不均从而希望高精度地对透明电极和辅助电极进行定位，则存在制造工序变得复杂的问题。鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供能够抑制透明电极和辅助电极的导通面积不均的。解决技术问题的技术方案本专利技术的静电电容式传感器片的制造方法，其特征在于，包括:成膜工序，在具有透光性的基材的至少一个表面形成透光性导电膜；辅助电极形成工序，在上述透光性导电膜的至少一部分设定起透明电极作用的电极区域，并以覆盖上述电极区域的周缘的至少一部分的方式层压电阻低于上述透光性导电膜的辅助电极；配线形成工序，将一端连接到上述辅助电极的配线层压在上述透光性导电膜上；抗蚀剂层压工序，以覆盖整个上述电极区域和至少一部分上述辅助电极的方式层压抗蚀剂；以及导电膜去除工序，去除在上述具有透光性的基材上形成的上述透光性导电膜中位于不与上述抗蚀剂、上述辅助电极及上述配线重叠的位置的透光性导电膜。优选地，在上述导电膜去除工序中，通过等离子体蚀刻来去除上述透光性导电膜，上述导电膜去除工序之后，还包括去除上述抗蚀剂的抗蚀剂去除工序。而且，在上述抗蚀剂层压工序中，层压透光性抗蚀剂作为上述抗蚀剂。本专利技术的静电电容式传感器片，其特征在于，包括:基材，具有透光性；透明电极，包括形成在上述基材的至少一个表面的透光性导电膜；以及辅助电极，是电阻比上述透明电极低且层压在上述透明电极的周缘上的膜状的电极，并且，上述辅助电极的轮廓线的至少一部分位于从与上述表面正交的方向观察到的上述透明电极的轮廓线上。本专利技术的静电电容式传感器片，还可以包括:配线，一端连接到上述辅助电极，且上述配线被层压在上述透光性导电膜上；以及透光性抗蚀剂，覆盖上述电极区域的至少一部分和上述辅助电极的至少一部分，上述透光性抗蚀剂的轮廓线位于从与上述表面正交的方向观察未被上述辅助电极覆盖的上述透明电极的轮廓线上。上述透光性抗蚀剂可以包含热固化型聚酯类树脂。上述配线的至少一部分可以被上述透光性抗蚀剂覆盖。上述透明电极可以被设置在上述基材的两个表面，上述静电电容式传感器片还具备电阻比上述透明电极低且被层压在上述透明电极的周缘上的膜状的辅助电极，上述辅助电极被配置成上述辅助电极的轮廓线的一部分位于从与上述表面正交的方向观察到的上述透明电极的轮廓线上。专利技术效果根据本专利技术的传感器片及其制造方法，能够抑制透明电极和辅助电极的导通面积不均。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式的静电电容式传感器片的俯视图。图2是图1的A-A线剖视图。图3是图2 —部分的放大图。图4是表示本专利技术的第一实施方式的静电电容式传感器片的制造方法的流程图。图5是用于说明该实施方式的制造方法的图。图6是用于说明该实施方式的制造方法的图。图7是用于说明该实施方式的制造方法的图。图8是用于说明该实施方式的制造方法的图。图9是用于说明该实施方式的制造方法的图。图10是表示本专利技术的第二实施方式的静电电容式传感器片的图，是以与图1的B-B线相同的截面表示的剖视图。图11是表示该实施方式的静电电容式传感器片的制造方法的流程图。图12是用于说明该实施方式的制造方法的图。图13是用于说明该实施方式的制造方法的图。图14是表示本专利技术的第三实施方式的静电电容式传感器片IB的俯视图。图15是图14的放大图。图16是图15的C-C线剖视图。图17是图15的D-D线剖视图。图18是表示本专利技术的第四实施方式的静电电容式传感器片的俯视图。图19是该静电电容式传感器片的后视图。 图20是图18的E-E线剖视图。具体实施例方式第一实施方式对本专利技术的第一实施方式的静电电容式传感器片I及其制造方法进行说明。首先，参照图1至图3对静电电容式传感器片I的结构进行说明。图1是本实施方式的静电电容式传感器片I的俯视图。图2是图1的A-A线剖视图。图3是图2中符号X所不部分的放大图。图1中省略覆盖膜8的图不。静电电容式传感器片I例如用作液晶显示器的触摸型输入装置。如图1及图2所示，静电电容式传感器片I包括基材2、透明电极3、信号线4及覆盖膜8。基材2是由具有透光性的绝缘材料形成的膜状、片状、或板状部件。作为基材2的材料可以适当使用包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、丙烯酸类树脂等硬质材料，或者热可塑性聚氨酯、热固化型聚氨酯、有机硅橡胶等弹性材料的材料。作为可用作基材2的材料的硬质材料的具体例，可以列举出:聚萘二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚偏氟乙烯、聚芳酯等树脂材料。这些树脂材料中，从强度等观点出发，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯作为基材2的材料。作为基材2的材料，也可以采用玻璃、透明金属氧化物。基材2的厚度优选为10 μ m以上 200 μ m以下。如果基材2的厚度为10 μ m以上，则基材2不易断裂，如果基材2的厚度为200 μ m以下，则能够使静电电容式传感器片I变薄。采用ITO(铟锡氧化物)、FT0(掺氟氧化锡)、聚噻吩、聚苯胺等具有透明性的导电性聚合物等具有透光性的导电性材料，通过印刷或涂布等在基材2上形成矩形的透明电极3。作为透明电极3的具体材料，例如可以适当使用聚噻吩类导电性油墨(例如，信越聚合物(株)制、产品名SEPLEGYDA (注册商标))等。此外，虽然与SEPLEGYDA (注册商标)相比透明性差，但也可以采用含有金、银、铜、ITO等金属材料或金属氧化物的薄膜，含有金属纳米线、碳纳米管的油墨等作为透明电极3的材料。作为可用作透明电极3的材料的导电性聚合物的具体例，可以列举出:聚卩比咯、聚(N-甲基吡咯)、聚(3-甲基噻吩)、聚(3-甲氧基噻吩)、聚(3，4-乙撑二氧噻吩)。通过印刷或涂布形成透明电极3时，构成透明电极3的导电性涂膜的厚度优选为0.05 μ m以上且5 μ m以下,更优选为0.1 μ m以上且I μ m以下。如果导电性涂膜的厚度为0.05 μ m以上，则能够恰当地确保导电性，如果在0.1ym以上，则作为检测灵敏度可以稳定地获得足够的表面电阻即600 Ω / 口。如果导电性涂膜的厚度为5μπι以下，则能够容易地形成涂膜。信号线4具有与透明电极3连接的辅助电极4a以及一端与辅助电极4a连接的配线4b ο辅助电极4a是具有比透明电极3低的电阻且被设置为覆盖透明电极3周缘的一部分的膜状电极。例如，如果使用含有银粒子的油墨 作为辅助电极4a的材料，则辅助电极4a的表面电阻为1Ω/□以下本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：西泽孝治，小林佑辅，小松博登，
申请(专利权)人：信越聚合物株式会社，
类型：
国别省市：
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