锑化铟红外探测器脱水处理方法技术

本发明专利技术公开了一种锑化铟红外探测器脱水处理方法，包括：台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行预处理；预处理之后的锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理；将脱水处理后的锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内依次进行干燥处理和臭氧氧化处理，通过对锑化铟红外探测器依次进行清洗、脱水处理，从而彻底去除锑化铟红外探测器上面存留的杂质和水，避免了锑化铟红外探测器性能随净化间湿度变化而产生的大幅波动，从而基本稳定了芯片性能批次内和批次间的一致性，而干燥处理和臭氧氧化处理则使脱水处理的效果在高湿度的净化间环境中得到保持，避免了水汽对芯片的二次污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信
，尤其涉及一种。
技术介绍
锑化铟是一种重要的中波红外探测器件材料，经过几十年的发展，芯片结构已由单元、多元发展至一维线列和二维面阵焦平面阵列。目前，对中波高分辨率锑化铟红外焦平面探测器的研究已转入应用阶段，各种规格的锑化铟红外焦平面探测器已大量装备于各种系统中。在基于锑化铟材料的红外探测器制备工艺中，钝化前的芯片处理是一个非常重要的工艺步骤，直接对探测器芯片的性能产生影响。目前对锑化铟探测器材料主要是直接采用臭氧氧化或直接PECVD钝化的工艺步骤，但是这样制备的锑化铟红外探测器的一致性差。
技术实现思路
鉴于上述的分析，本专利技术旨在提供一种，用以解决现有技术中制备的锑化铟红外探测器的一致性差的问题。本专利技术的目的主要是通过以下技术方案实现的:一种，包括:对台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行清洗处理； 将清洗之后的所述锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理；将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内，进行干燥处理和臭氧氧化处理。优选地，进行清洗处理具体包括:使用电阻率大于12ΜΩ的去离子水对所述锑化铟红外探测器进行清洗，冲洗时间为30-60分钟。优选地，进行脱水处理具体包括:将预处理后的所述锑化铟红外探测器浸没在甲醇溶液中进行脱水处理，时间为1-3分钟，并重复多次。优选地，在干燥处理之前进一步包括:使用氮气将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器表面的甲醇吹散至所述锑化铟红外探测器的外围。优选地，所述干燥处理的温度和所述臭氧氧化的温度均为70-120摄氏度，所述臭氧氧化时间为20-40分钟。优选地，所述干燥处理的温度为80-100摄氏度。优选地，所述臭氧氧化处理的步骤具体包括:打开所述臭氧氧化设备内的氧气和紫外线灯，使所述锑化铟红外探测器在加热和臭氧条件下进行氧化。优选地，所述臭氧氧化的温度为80-100度。优选地，所述臭氧氧化时间为30分钟。优选地，所述臭氧氧化处理的步骤之后，进一步包括:将臭氧氧化后的所述锑化铟红外探测器进行钝化处理。本专利技术有益效果如下:本专利技术提供了一种，通过对锑化铟红外探测器依次进行清洗、脱水处理，从而彻底去除锑化铟红外探测器上面存留的杂质和水，避免了锑化铟红外探测器性能随净化间湿度变化而产生的大幅波动，从而基本稳定了芯片性能批次内和批次间的一致性，而干燥处理和臭氧氧化处理则使脱水处理的效果在高湿度的净化间环境中得到保持，避免了水汽对芯片的二次污染。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明 图1为本专利技术实施例的。具体实施例方式下面结合附图来具体描述本专利技术的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本专利技术的实施例一起用于阐释本专利技术的原理。为了清楚和简化目的，当其可能使本专利技术的主题模糊不清时，将省略本文所描述的器件中已知功能和结构的详细具体说明。实施例1本专利技术实施例提供了一种，参见图1，该方法包括:S101、将台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行清洗处理清洗处理；其中，所述清洗处理清洗处理具体包括:使用电阻率大于12ΜΩ的去离子水对所述锑化铟红外探测器进行清洗，冲洗时间为30-60分钟，从而彻底去除锑化铟红外探测器上残存的杂质。S102、将清洗处理后的所述锑化铟红外探测器浸没在甲醇溶液中进行脱水处理，时间为1-3分钟，并重复三次，充分的将残存在所述锑化铟红外探测器上的水进行去除，从而有效地控制了芯片性能随净化间湿度变化而产生的大幅波动，稳定了芯片性能批次内和批次间的一致性。S103、使用氮气将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器表面的甲醇吹散至所述锑化铟红外探测器的外围；S104、将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内的加热台上依次进行干燥处理和臭氧氧化处理，高温烘干为基础的干燥处理和臭氧氧化处理则使脱水处理的效果在高湿度的净化间环境中得到保持，避免了水汽对芯片的二次污染。其中，所述干燥处理的温度和所述臭氧氧化的温度均为70-120摄氏度，因为甲醇的沸点为64.8度，所以干燥处理的温度需要大于甲醇的温度，所述臭氧氧化时间为20-40分钟，本专利技术实施例优选的温度为30分钟。干燥处理的时间根据所述锑化铟红外探测器上残存的甲醇量而定。所述臭氧氧化处理的步骤具体包括:打开所述臭氧氧化设备内的氧气和紫外线灯，使所述锑化铟红外探测器在加热和臭氧条件下进行氧化。S105、将臭氧氧化后的所述锑化铟红外探测器进行钝化处理。综上所述，本专利技术实施例提供了一种，通过对锑化铟红外探测器依次进行清洗、脱水处理，从而彻底去除锑化铟红外探测器上面存留的杂质和水，避免了锑化铟红外探测器性能随净化间湿度变化而产生的大幅波动，从而基本稳定了芯片性能批次内和批次间的一致性，而干燥处理和臭氧氧化处理则使脱水处理的效果在高湿度的净化间环境中得到保持，避免了水汽对芯片的二次污染。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之 内。因此，本专利技术的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锑化铟红外探测器脱水处理方法，其特征在于，包括：对台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行清洗处理；将清洗之后的所述锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理；将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内，进行干燥处理和臭氧氧化处理。

【技术特征摘要】
1.一种锑化铟红外探测器脱水处理方法，其特征在于，包括: 对台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行清洗处理； 将清洗之后的所述锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理； 将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内，进行干燥处理和臭氧氧化处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行清洗处理具体包括: 使用电阻率大于12ΜΩ的去离子水对所述锑化铟红外探测器进行清洗，冲洗时间为30-60分钟。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，进行脱水处理具体包括: 将预处理后的所述锑化铟红外探测器浸没在甲醇溶液中进行脱水处理，时间为1-3分 钟，并重复多次。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在干燥处理之前进一步包括: 使用氮气将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器表面的甲醇吹散至所述锑化...

【专利技术属性】
技术研发人员：亢喆，邱国臣，肖钰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：