带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路制造技术

技术编号:8927992 阅读:217 留言:0更新日期:2013-07-15 23:51
本实用新型专利技术属于集成电路领域,具体是带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路。将Hallsensor通过特殊工艺集成到芯片内部,通过增加死区控制电路,可以在换向的时候获得延时信号,将延时信号通过逻辑控制器处理后,在换向的时候可以控制四个输出驱动管同时截止,这样可以有效的消除贯通现象,减少芯片烧毁的风险,有效的增加了芯片的可靠性。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

Single phase DC motor drive integrated circuit with preventing through circuit

The utility model belongs to the field of integrated circuits, in particular to a single-phase DC motor drive integrated circuit which is used for preventing a through circuit. Hallsensor through a special process integrated inside the chip, by increasing the dead time control circuit, signal delay can be obtained in the commutation time, the delay signal through the processing logic controller, can control four output at the same time as the drive pipe in the commutation time, which can effectively eliminate the phenomenon through risk reduction, chip burned, effective to increase the reliability of the chip.

【技术实现步骤摘要】

带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路
本技术涉及到集成电路领域,具体是带有防止贯通电路的单相电机驱动集成电路。
技术介绍
单相电机驱动电路的输出级一般都采用H桥结构,前级通过霍尔传感器感应位置,实现无刷换相功能。但是H桥结构的输出驱动,在换向的过程中,非常容易出现上下管贯通的现象。如图1中的101模块,101模块就是H桥输出驱动模块,假设在换向之前Ql和Q4导通,此时电流路径为:通过VCC经Ql到L,然后再流向Q4到地。此时Q2和Q3是关闭的。当换向之后Ql和Q4关闭,Q2和Q3导通,此时电流的路径为:VCC经过Q2到L,然后再流向Q3到地。这是理想状态下的换向,实际上在换向的瞬间,由于电感是储能元器件,加上输出管是功率管,关断时间都有延迟,这样很容就会出现Ql和Q3或者Q2和Q4同时导通的情况.这样VCC到GND就会形成一个通路,出现大的电流,很容易造成芯片烧毁。这就是采用H桥电路容易出现的贯通现象。如果专利技术一种电路消除贯通现象,可以有效的保护芯片,防止发生烧毁的现象,增加芯片的可靠性。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一款单相直流电机驱动集成电路,其内部含有防止贯通现象的电路,能够有效的增加芯片的可靠性。本技术采用以下方案实现:一种带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路,其特征在于,包括:一用于驱动电机的输出功率驱动电路;—逻辑控制器,控制所述功率驱动电路;一死区控制电路,将输出信号送至所述的的逻辑控制器,用于消除输出贯通现象;一滞洄比较器,将霍尔传感器的输出信号放大处理后送至所述的死区控制电路;一霍尔传感器,用于检测电机的位置;以及一内部参考电压源,给所述的霍尔传感器供电。在本技术一实施例中,所述内部参考电压源具有一 2.7V电压输出端,该输出端为所述霍尔传感器供电,且具有温度补偿作用,补偿霍尔传感器的温度系数。在本技术一实施例中,所述霍尔传感器集成在芯片内部。在本技术一实施例中,所述死区控制电路包括晶体管Q5 Q18、电阻Rf R7、一电流源、一内部参考电压源输入端以及第一至四控制信号输入端D、A、B、C ;所述晶体管Q5、10的射极以及电流源的一端与所述内部参考电压源输入端连接;所述电流源的另一端与所述晶体管Qll Q18的基极连接;所述晶体管Q5的基极与所述晶体管Q6的集电极、晶体管Q16的集电极连接;所述晶体管Q5的集电极经电阻Rl与所述晶体管Q17的集电极连接;所述第一控制信号输入端D与所述晶体管Q17的集电极连接;所述晶体管Q18的集电极和基极相连接;该晶体管Q18的射极接地;所述晶体管Q17的射极经电阻R7接地;所述晶体管Q16的射极经电阻R6接地;所述晶体管Q13的射极经电阻R5接地;所述晶体管Q12的射极经电阻R4接地;所述晶体管Qll的射极经电阻R3接地;所述晶体管Q6的基极与所述晶体管Q7的基极和集电极连接;所述晶体管Q7的集电极与所述晶体管Q15的集电极连接,所述第二控制信号输入端A与所述晶体管Q15的基极连接;所述晶体管Q15的射极与所述晶体管Q13的集电极以及晶体管Q14的射极连接;所述晶体管Q14的基极与所述第三控制信号输入端B连接;该晶体管Q14的集电极与所述晶体管Q8的集电极和基极连接;所述晶体管Q8的基极与所述晶体管Q9的基极连接;所述晶体管Q9的集电极与所述晶体管QlO的基极以及晶体管Q12的集电极连接;所述晶体管QlO的集电极经电阻R2与所述晶体管Qll的集电极连接;所述第四控制信号输入端C与所述晶体管Qll的集电极连接。在本技术一实施例中,所述输出功率驱动电路采用H桥结构。本技术的有益效果是:通过增加死区时间控制电路,消除单相直流电机驱动电路中的贯通现象,减少了芯片烧毁的风险,有效的增加了芯片的可靠性。附图说明图1带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路的方框图图2死区时间控制电路图图3防止贯通 现象产生的波形图Vref:内部参考电压源霍尔传感器:内置霍尔传感器Al:滞洄比较器103:死区控制电路102:逻辑控制器101:输出功率驱动电路Q1/Q2/Q3/Q4:输出功率驱动管D1/D2/D3/D4:续流二极管L:电机线圈VCC:电源供电Q5-Q18:死区控制电路中的晶体管R1-R7:死区控制电路中的电阻1:死区控制电路中的电流源。具体实施方式请参照图1,图1是整个集成电路的设计方框图,本实施例提供一种带有防止贯通电路的单相电机驱动集成电路,其包括:一用于驱动电机的输出功率驱动电路;一逻辑控制器,控制所述功率驱动电路;一死区控制电路,将输出信号送至所述的的逻辑控制器,用于消除输出贯通现象;一滞洄比较器,将霍尔传感器的输出信号放大处理后送至所述的死区控制电路;一霍尔传感器Hall sensor,用于检测电机的位置;以及一内部参考电压源,给所述的的霍尔传感器供电。为了让一般技术人员更好的理解本技术,下面我么将详细叙述每个模块的工作原理以及作用。内置的霍尔传感器是通过特殊的工艺,将霍尔传感器集成到芯片内部。其作用是将磁场信号转换成为电信号。Vref提供2.7V的电压给霍尔传感器供电,并且电压带有温度补偿,补偿霍尔传感器的温度系数。霍尔传感器的输出电压信号,经过滞洄比较器进行放大,输出至死区控制电路。图2是死区时间控制电路,该死区控制电路包括晶体管Q5 Q18、电阻RfR7、一电流源、一内部参考电压源输入端以及第一至四控制信号输入端D、A、B、C ;所述晶体管Q5、10的射极以及电流源的一端与所述内部参考电压源输入端连接;所述电流源的另一端与所述晶体管Qll Q18的基极连接;所述晶体管Q5的基极与所述晶体管Q6的集电极、晶体管Q16的集电极连接;所述晶体管Q5的集电极经电阻Rl与所述晶体管Q17的集电极连接;所述第一控制信号输入端D与所述晶体管Q17的集电极连接;所述晶体管Q18的集电极和基极相连接;该晶体管Q18的射极接地;所述晶体管Q17的射极经电阻R7接地;所述晶体管Q16的射极经电阻R6接地;所述晶体管Q13的射极经电阻R5接地;所述晶体管Q12的射极经电阻R4接地;所述晶体管Qll的射极经电阻R3接地;所述晶体管Q6的基极与所述晶体管Q7的基极和集电极连接;所述晶体管Q7的集电极与所述晶体管Q15的集电极连接,所述第二控制信号输入端A与所述晶体管Q15的基极连接;所述晶体管Q15的射极与所述晶体管Q13的集电极以及晶体管Q14的射极连接;所述晶体管Q14的基极与所述第三控制信号输入端B连接;该晶体管Q14的集电极与所述晶体管Q8的集电极和基极连接;所述晶体管Q8的基极与所述晶体管Q9的基极连接;所述晶体管Q9的集电极与所述晶体管QlO的基极以及晶体管Q12的集电极连接;所述晶体管QlO的集电极经电阻R2与所述晶体管Qll的集电极连接;所述第四控制信号输入端C与所述晶体管Qll的集电极连接。假设在换向之前A的电压要高于B的电压,此时Q15导通,Q14截止,这样Q6导通而对应的Q9是截止的,Q5处于截止状态QlO处于导通状态,D为低电平,C为高电平。在换向的瞬间,Q14导通Q15截止,Q7截止,由于Q6不能瞬间截止,这样Q5就不能瞬间导通,也就是D会延时一段时间变为高电平,延时的时间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路,其特征在于,包括:一用于驱动电机的输出功率驱动电路;一逻辑控制器,控制所述功率驱动电路;一死区控制电路,将输出信号送至所述的的逻辑控制器,用于消除输出贯通现象;一滞洄比较器,将霍尔传感器的输出信号放大处理后送至所述的死区控制电路;一霍尔传感器,用于检测电机的位置;以及一内部参考电压源,给所述的霍尔传感器供电。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:高耿辉
申请(专利权)人:大连连顺电子有限公司友顺科技股份有限公司福建福顺微电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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