The utility model provides a plug-in type bus structure of a mine used inverter, which comprises a plurality of IGBT modules and the pressing device is characterized in that the pressure device comprises an upper plate, insulation board, IGBT plate, IGBT plate, insulation board, plate and IGBT plate; and the IGBT plate is provided with a plurality of contacts; IGBT plate and IGBT plate is fixed on the corresponding pole IGBT module through the contact plate; IGBT plate arranged on the insulating plate, an insulating plate is provided with a clamp; under the insulating plate is provided with a IGBT plate, a lower insulating plate is arranged under the lower pressure plate; IGBT and IGBT formed between the plate plate slot structure. The utility model solves the problems that the existing IGBT structure is easy to cause the generation of stray inductance, can not pass through the large current, the installation is complex, the service life is short, and is not conducive to maintenance.
【技术实现步骤摘要】
本技术属于变频器
,具体说是一种矿用变频器的插接式母排结构。
技术介绍
步入21世纪后,国产变频开始逐步崛起,从早期的改装国外产品,到现在有自主知识产权经历了一个漫长的过程,虽然有了长足的进步,但是对于IGBT连接方式仍然存在很多的不足,其一,很多矿用变频器IGBT与电容组连接时采用的是搭接,这种连接方式为点接触无法通过较大电流,同时会增加杂散电感的产生,从而影像变频器本身的性能。其二,将IGBT与电容组装成一体后连接至IGBT模块的极点,虽然看似解决了杂散电感的产生,但因IGBT极点相对脆弱易损坏,当IGBT模块极点与电容组极点不在同一平面安装时将会导致连接IGBT与IGBT极点安装连接时的应力无法消除装配误差更是无法解决,同时由于在IGBT正负极端加装吸收电容更是增加了此种结构的装配困难。如果以上问题无法解决,将会提高核心器件IGBT模块的损坏几率,同时直接影响变频器的正常使用以及资源的正常开采,造成无法估计的损失。因此,亟需对现有的矿用变频器IGBT结构进行改进。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种矿用变频器的插接式母排结构,以解决现有IGBT结构易导致杂散电感的产生、无法通过较大电流、安装复杂、使用寿命短、不利于维护等问题。本技术的目的是这样实现的:它包括若干IGBT模块以及压紧装置,其特征是:所述压紧装置依次由上压板,上绝缘板,IGBT上极板,IGBT下极板,下绝缘板,下压板组合而成;IGBT上极板与IGBT下极板上设有若干触点;IGBT上极板与IGBT下极板通过极板上的触点固定在IGBT模块的相应极点上;IGBT上极板上设有上绝缘板,上绝 ...
【技术保护点】
一种矿用变频器的插接式母排结构,它包括若干IGBT模块以及压紧装置,其特征是:所述压紧装置依次由上压板,上绝缘板,IGBT上极板,IGBT下极板,下绝缘板,下压板组合而成;IGBT上极板与IGBT下极板上设有若干触点;IGBT上极板与IGBT下极板通过极板上的触点固定在IGBT模块的相应极点上;IGBT上极板上设有上绝缘板,上绝缘板上设有上压板;IGBT下极板下设有下绝缘板,下绝缘板下设有下压板;IGBT上极板与IGBT下极板之间形成插槽结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:徐明,范久斌,毕鑫,高岩伟,
申请(专利权)人:沈阳辽通电气有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。