研磨垫制造技术

本实用新型专利技术公开了一种研磨垫，涉及半导体的研磨抛光工艺。该研磨垫上设有若干个呈涡轮状排列的沟槽。该沟槽包括若干个圆台形沟槽和连接圆台形沟槽的弧形沟槽。所述圆台形沟槽大小相等且均匀分布，圆台形沟槽的深度大于弧形沟槽的深度。与现有技术相比，采用本实用新型专利技术的研磨垫通过设置若干个圆台形沟槽增加了研磨液的储存能力；通过设置弧形沟槽使得研磨产生的废液可以及时排出，避免废液滞留形成结晶划伤晶圆的现象。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体生产中的研磨抛光工艺，具体地说，涉及用.于化学机械研磨(Chemical Mechanical Polish,以下简称"CMP")的研磨垫。技术背景CMP是半导体器件制造过程中的一道重要制程，由专用的研磨机台完成， 主要用于对晶圆表面的平坦化处理和清洗。在CMP制程中，需要使用研磨垫和 研磨液，其中研磨垫粘贴在研磨机台的旋转平台上，研磨机台的研磨头将晶圆 压在研磨垫上，在研磨垫上加入研磨液，配合旋转平台的自转进行研磨，从而 消除晶圆表面的氧化层或金属层或者其他物质。由于研磨垫直接接触晶圓的被研磨表面，因此研磨垫的品质和研磨.能力都 是非常重要的。现有的研磨垫主要有两种，如图1至图4所示。图1所示研磨 垫1的表面设有若干个均匀分布的圓柱形凹槽10,图2为该圆柱形凹槽10的立 体图。研磨垫1虽然可以较好地储存研磨液，但是研磨后产生的废液也会继续 留在凹槽10内，不容易排出，容易导致废液堆积， 一段时间后会形成结晶，造 成晶圓的被研磨表面划伤。图3所示研磨垫2的表面设有若干个凹形环状沟槽 20，且所有沟槽20的圓心在同一位置上。图4显示沟槽20的纵截面呈矩形。 由于沟槽20呈环状，因此在研磨垫2旋转时，研磨产生的废液很容易被排出， 不容发生废液堆积的情况。但是位于沟槽20内的研磨液也容易被排出，导致研 磨液利用率不高，造成研磨成本的升高。 .有鉴于此，需要提供一种新的研磨垫以克服或者至少改善上述问题。
技术实现思路
本技术解决的技术问题是提供一种可提高研磨液存储能力和废液排放 能力的研磨垫。为解决上述技术问题，本技术提供了一种新的研磨垫，该研磨垫上设 有若干个呈涡轮状排列的沟槽。该沟槽包括若干个圆台形沟槽和连接圓台形沟槽的弧形沟。所述圆台形沟槽大小相等且均匀分布。圆台形沟槽的深度大于弧形沟槽的深度。与现有技术相比，釆用本技术的研磨垫通过设置若干个圆台形沟槽增加了研磨液的储存量；通过设置弧形沟槽将圆台形沟槽连接起来，从而使得研 磨产生的废液可以随着弧形沟槽在旋转过程中及时排出，避免废液滞留形成结 晶划伤晶圆的现象。 '附图说明图1为一种现有研磨垫的平面图，该研磨垫具有若干个圓柱形凹槽。 图2为图1中所示凹槽的立体图。图3为另一种现有研磨垫的平面图，其具有若干个凹形环状凹槽。图4为图3所示凹形环状凹槽的A-A向的截面图。图5为本技术研磨垫的平面图。图6为图5所示研磨垫的弧形沟槽的B-B向的截面图。图7为图5所示研磨垫的部分沟槽立体图。具体实施方式以下结合附图对本技术的较佳实施例进行描述，以进一步理解其实用 新型的目的、具体结构特征和优点。请参阅图5至图7，本技术较佳实施例提供了一种研磨垫3。该研磨垫 3的表面设有若干条呈涡轮状均匀排列的沟槽。沟槽涡轮状排列，通过研磨垫3 的旋转时，很容易将研磨产生的废液排出。将沟槽的深度大于现有技术的深度， 可以提高研磨液的储存能力。进一步地，所述沟槽包括大小相等、均匀分布的圆台形沟槽31以及连接圓 台形沟槽31的弧形沟槽32。圆台形沟槽31和弧形沟槽32的数量可以根据需要 来确定，在不影响晶圆研磨工艺的情况下，可以设置无限多个。所述圆台形沟槽31的深度HI大于弧形沟槽32的深度H2,这样研磨垫3在CMP制程中进行 旋转时，研磨液能够很好的留在圆台形沟槽31的底部，而不会随着旋转^皮排出， 进一步提高了研磨液的利用率。另外，两种沟槽31、 32的深度H1、 H2是可以 根据具体工艺进行改变的。圆台形沟槽31的纵截面呈梯形，本实施例中，弧形 沟槽32的纵截面呈矩形(见图6所示)，也可以是梯形等其他形状。圆台形沟 槽31开口处的直径可以大于或者等于弧形沟槽32的开口处的宽度。弧形沟槽 32的弯曲弧度根据研磨垫旋转时研磨液排出的抛物线的方向设计，这样随着研 磨垫3的旋转，反应后的废液可以及时沿着弧形沟槽32旋转排出，避免了废液 结晶的情况，有效降低了晶圓划伤的情况。本技术的研磨垫通过设置若干个圆台形沟槽大大增加了研磨液的储存 能力，起到了充分利用研磨液的作用。通过设置弧形沟槽将圆台形沟槽连接， 使得研磨产生的废液可以随着研磨垫的旋转，顺着弧形沟槽弯曲的方向及时排 出，避免废液滞留形成结晶，而造成划伤晶圆的现象。上述描述，仅是对本技术较佳实施例的描述，并非对本技术的任 何限定，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据上述揭示内容进行简单修 改、添加、变换，且均属于权利要求书中保护的内容。权利要求1.一种研磨垫，其特征在于，该研磨垫上设有若干个呈涡轮状排列的沟槽。2. 如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于该沟槽包括若干个圆台形沟槽和 连接圆台形沟槽的弧形沟槽。3. 如权利要求2所述的研磨垫，其特征在于所述圆台形沟槽大小相等且均匀 分布。4. 如权利要求2所述的研磨垫，其特征在于圆台形沟槽的深度大于弧形沟槽 的深度。5. 如权利要求2所述的研磨垫，其特征在于圆台形沟槽开口处的直径大于弧 形沟槽开口处的宽度。6. 如权利要求2所述的研磨垫，其特征在于弧形沟槽的纵截面是矩形。专利摘要本技术公开了一种研磨垫，涉及半导体的研磨抛光工艺。该研磨垫上设有若干个呈涡轮状排列的沟槽。该沟槽包括若干个圆台形沟槽和连接圆台形沟槽的弧形沟槽。所述圆台形沟槽大小相等且均匀分布，圆台形沟槽的深度大于弧形沟槽的深度。与现有技术相比，采用本技术的研磨垫通过设置若干个圆台形沟槽增加了研磨液的储存能力；通过设置弧形沟槽使得研磨产生的废液可以及时排出，避免废液滞留形成结晶划伤晶圆的现象。文档编号B24B37/26GK201089114SQ200720074738公开日2008年7月23日 申请日期2007年9月17日 优先权日2007年9月17日专利技术者夏志平, 张伟光, 王怀锋 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨垫，其特征在于，该研磨垫上设有若干个呈涡轮状排列的沟槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟光，夏志平，王怀锋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]