本发明专利技术提供了一种硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，所述硅氮化物磷光体具有高亮度，并可用于荧光显示管(VFD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示板(PDP)、阴极射线管(CRT)和发光二极管(LED)等；还提供了各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr,Ca)AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体，以及这些磷光体的制造方法。本发明专利技术涉及硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，其特征在于，其是用作制造硅氮化物磷光体的初始材料的结晶性氮化硅粉末，所述硅氮化物磷光体含有硅元素和氮元素作为构成元素，但不含有氧元素作为构成元素，并且其特征在于氧含量为0.2重量%～0.9重量%；本发明专利技术还涉及各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr,Ca)AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体，以及这些磷光体的制造方法。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，所述硅氮化物磷光体具有更高的荧光强度并可用于显示器、液晶背景光、荧光灯或发白光二极管等，本专利技术还涉及各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr, Ca) AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体以及这些磷光体的制造方法。
技术介绍
近来，随着发蓝光二极管的实际应用，对以该二极管为光源的发白光二极管进行了积极研究。由于发白光二极管重量轻、未使用汞且寿命长，预期未来对其的需求会快速增长。通常，作为发白光二极管，使用了通过在发蓝光器件上涂覆含有由铈活化的YAG(Y3Al5O12 = Ce)粉末和环氧树脂的混合物糊剂而获得的发白光二极管(专利文献I)。然而，由于YAG:Ce的荧光色在CIE色坐标中存在于x=0.41，y=0.56附近，当与460nm的蓝色激发光混合时，颜色被控制在发蓝光二极管的色坐标和YAG的色坐标的连接线上，结果获得了混合有绿蓝色的白色，而不是白色。由此，出现了只能实现红色不充足的白色的问题。为了解决这种颜色较差的问题，使YAG: Ce磷光体粉末与单独的显示红色的磷光体粉末混合以进行颜色控制。然而，仅有非常少的关于可吸收蓝色光并发射红色荧光的磷光体的报道。作为具体实例，非专利文献I中报道了由铕(EU)活化的Ba2Si具。另外，最近发现了显示出比Ba2Si5N8更高的光输出的由Eu活化的CaAlSiN3(非专利文献2)。另外，专利文献2公开了下述实例:将平均粒径为0.5 μ m且氧含量为0.93重量％的结晶性氮化硅粉末用作原料，并且改变CaAlSiN3的组成比和晶格位点来控制荧光特征。另外，作为稀土元素活化的具有A2Si5N8晶体结构的磷光体，已知的是非专利文献3中公开的发红光材料，即以MxSiyNz(M=Ca、Sr、Ba或Zn ;x、y和z可具有不同值)为母体(mother skeleton)的磷光体；或专利文献3中公开的发红光材料，即以MxSiyNz:Eu(M=Ca、Sr、Ba或Zn;z=2/3x+4/3y)为母体的磷光体。然而，通过蓝色可见光的激发，红光发射强度依然不足。近来，对以发射近紫外-蓝光的二极管作为激发源的发白光二极管进行了积极研究。因此，可期待响应于所述激发波长的发射强黄光的磷光体。作为黄光发射性材料，通常使用Y3Al5012:Ce。然而,如专利文献4公开的内容，还已知La3Si6N1115因此，那些氮化物磷光体可用于真空荧光显示器(VFD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示板(PDP)、阴极射线管(CRT)或发白光二极管(LED)等，并且可预期其作为具有低亮度退化性的磷光体的应用。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2000-208815号公报专利文献2:日本特许3837588号公报专利文献3:美国专利第6682663号专利文献4:日本特开2010-70773号公报非专利文献非专利文献1:Journal of Physics and Chemistry of Solid,第 61 卷(2000)2001 2006 页。非专利文献2:第65届应用物理学会会议论文集，1283页。非专利文献3: “On new rare-earth doped M-S1-Al-O-N materials，，，作者J.ff.H.van Krevel, TU Eindhoven2000, ISBN90-386-2711-4。
技术实现思路
技术问题由于这些氮化物磷光体的荧光强度尚不足，因而需要开发亮度更高的磷光体。有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，所述硅氮化物磷光体具有高亮度，并可用于真空荧光显示器(VFD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示平(PDP)、阴极射线管(CRT)或发光二极管(LED)等，并提供各自利用了该氮化硅粉末的光体、Sr2Si5N8磷光体、(S r , Ca) AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体，以及这些磷光体的制造方法。技术方案本专利技术的专利技术人为了解决上述问题进行了大量研究，结果发现使用含有特定的结晶性氮化硅颗粒的粉末作为原料可以获得具有高荧光强度的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr, Ca) AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体，并据此完成了本专利技术。也就是，本专利技术涉及硅氮化物磷光体用结晶性氮化硅粉末，所述结晶性氮化硅粉末用作制造硅氮化物磷光体的原料，所述硅氮化物磷光体含有硅元素和氮元素作为构成元素，但不含有氧元素作为构成元素，所述氮化娃粉末的氧含量为0.2重量％ 0.9重量％。另外，本专利技术涉及利用上述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末制造CaAlSiN3磷光体的方法，所述方法包括:混合所述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、作为铝源的材料、作为钙源的材料和作为铕源的材料，从而具有通式(EuxCah)AlSiN3 ;和在1400°C 2000°C于0.05MPa IOOMPa的氮气氛中煅烧该混合物。另外，本专利技术涉及利用上述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体，其由通式(EuxCah)AlSiN3表示，并通过在1400°C 2000°C于含氮惰性气氛中煅烧包含所述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、Ca3N2粉末、AlN粉末和EuN粉末的混合物粉末获得。另外，本专利技术涉及利用上述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末制造Sr2Si5N8磷光体的方法，所述方法包括:混合所述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、作为锶源的材料和作为铕源的材料，从而具有通式(EuxSivx)2Si5N8 ;和在1400°C 2000°C于0.05MPa IOOMPa的氮气氛中煅烧该混合物。另外，本专利技术涉及利用上述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末的Sr2Si5N8磷光体，其由通式(EuxSivx)2Si5N8表示，并通过在1400°C 2000°C于含氮惰性气氛中煅烧包含所述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、氮化锶粉末和氮化铕粉末的混合物粉末获得。另外，本专利技术涉及利用上述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末制造(Sr，Ca) AlSiN3磷光体的方法，所述方法包括:混合所述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、作为锶源的材料、作为钙源的材料、作为铕源的材料和作为铝源的材料，从而具有通式(EuxSryCaz) AlSiN3 (条件是x+y+z=l);和在1400°C 2000°C于0.05MPa IOOMPa的氮气氛中煅烧该混合物。另外，本专利技术涉及利用上述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末的(Sr，Ca) AlSiN3磷光体，其由通式(EuxSryCaz)AlSiN3(条件是x+y+z=l)表示，并通过在1400°C 2000°C于含氮惰性气氛中煅烧包含所述娃氮化物磷光体用氮化娃粉末、Sr3N2粉末、Ca3N2粉末、EuN粉末和AlN粉末的混合物粉末获得。另外，本专利技术涉及利用上述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末制造La3Si6N11磷光体的方法，所述方法包括:混合所述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、作为镧源的材料和作为铈源的材料，从而具有通式(CexLa1JSi6N11 ;和在1400°C 2000°C于0.05MPa IOOMPa的氮气氛中煅烧该混合物。另外，本专利技术涉及利用上述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末的La3Si6N1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤永昌孝，上田孝之，酒井拓马，治田慎辅，
申请(专利权)人：宇部兴产株式会社，
类型：
国别省市：
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