系统级光电结构及其制作方法技术方案

本发明专利技术提供系统级光电结构及其制作方法，其制作方法步骤至少包含：提供暂时基板；提供多个未封装光电元件，连接于基板之上，并形成多个走道区；提供粘性胶材，填满走道区并覆盖未封装光电元件；提供永久基板，通过粘性胶材接合多个未封装光电元件；以及移除暂时基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电系统，尤涉及一种具有整合性的发光系统。
技术介绍
光电元件如发光二极管的封装结构主要产自于繁复的单芯片封装流程。未封装的光电元件经封装后，再结合其他电子元件，如电容、电感等，及/或非电子元件，可以形成光电系统。然而，在电子消费产品小型化与轻薄化的发展趋势下，光电元件的开发也朝向更小的封装尺寸。其中，芯片级封装(Chip-Level Package ;CLP)为半导体以及光电元件封装设计的期待方式之一。
技术实现思路
依据本专利技术实施例，提供，其制作方法步骤至少包含:提供暂时基板；提供多个未封装光电元件，连接于基板之上，并形成多个走道区；提供粘性胶材，填满走道区并覆盖光电元件；提供永久基板，通过粘性胶材键合多个光电元件；以及移除暂时基板。附图说明图1显示发光二极管封装结构；图2A至图2D显示依据本专利技术实施例的光电系统的制造方法；图3显示依据本专利技术实施例的光电系统的示意图；图4显示依据本专利技术实施例的系统单元与载具的示意图；图5显示依据本专利技术实施例的系统单元与次载具的示意图；图6 (a)至图6 (C)显示依据本专利技术实施例的光电系统中系统单元的电连接示意图；图7 (a)至图7 (C)显示依据本专利技术另一实施例的光电系统中系统单元的电连接示意图；图8 (a)至图8 (C)显示依据本专利技术又一实施例的光电系统中系统单元的电连接示意图；图9A至图9D显示依据本专利技术另一实施例的光电系统的制造方法；图10 (a)至图10 (C)显示依据本专利技术实施例的光电系统中系统单元的电连接示意图；图11显示依据本专利技术实施例的光电系统中子群组的示意图12 (a)至图12 (d)显示依据本专利技术实施例的子群组的电性连接架构；图13显示依据本专利技术另一实施例的子群组的电性连接架构；图14 Ca)至图14 (b)显示依据本专利技术实施例的单一系统单元的尺寸图；图15 (a)至图15 (d)显示依据本专利技术实施例的光电系统中波长转换材料的配置方式；图16 (a)至图16 (d)显示依据本专利技术另一实施例的光电系统中波长转换材料的配置方式；图17 (a)至图17 (b)显示依据本专利技术又一实施例的光电系统中波长转换材料的配置方式；图18 (a)至图18 (C)显示依据本专利技术实施例的光电系统中波长转换材料的配置方式；图19 (a)至图19 (d)显示依据本专利技术另一实施例的光电系统中波长转换材料的配置方式； 图20 (a)至图20 (d)显示依据本专利技术又一实施例的光电系统中波长转换材料的配置方式；图21 (a)至图21 (b)显示依据本专利技术实施例的光电系统中系统单元的配置示意图；图22 Ca)至图22 Cf)显示依据本专利技术实施例的光电系统或子群组的配置示意图；图23A至图23E为本专利技术制造流程结构示意图；图24A至图24G为本专利技术制造流程结构示意图；图25A与图25B为本专利技术实施例的制造流程结构示意图；图26为本专利技术实施例的制造流程结构示意图；及图27为本专利技术实施例的制造流程结构示意图。附图标记说明10:载具、暂时基板60:电性连接IOa:外部体60a:导线IOb:外部体60b:内部连接20:层、结构、第一连接层60b’:隔离区30:系统单元、光电元件60c:电路载体301:电极601:焊料302:半导体外延层70:第二连接层303:基板70’:第二连接层304:走道区701:通道305:扩张电极80:第一反射层40:材料、粘性胶材100:光电系统50:次载具、永久基板IOOa:子群组50’:基板IOOb:子群组50a:接合层IOOc:子群组501:微角锥200:发光二极管封装结构具体实施例方式如图2A 图2D所例示，依据本专利技术的实施例的光电系统100的制造方法简述如下:二或多个系统单元30初步配置于载具10上；利用材料40维持各个系统单元30间的空间关系；使系统单元30与载具10相分离；以及依需求建立系统单元30间的电性连接60。惟上述各步骤的执行顺序或选择并不限于此，使用者当可依实际制造环境或条件安排。详言之，依据本专利技术的实施例的光电系统100包括两或多个系统单元30以形成光能与电能的传输、转换网络(network)。系统单元30位于网络中，并提供光或电机能至少其一。举例而言，光电系统100可接收信号、电能以输出光,或接收光以输出电能、信号。在应用上，光电系统100可以用于照明、影像显示、影像辨识、影像重制、电力输出、数据储存、机械加工等。 具体而言，光电系统100为发光二极管(LED)、光电二极管(photodiode)、光敏电阻(photoresister)、激光(laser)、红外线发射体(infrared emitter)、及太阳能电池(solar cell)等具光电机能的系统单元30中至少其一的集成(integration)、组合、堆叠。此外，光电系统100尚可选择性地容纳电阻、电容、电感、二极管、集成电路等非光电机能的系统单元30。载具10为系统单元30提供成长、承载基础。候选材料其一包含但不限于锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、铟化磷(InP)、蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、铝酸锂(LiA102)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、金属、玻璃、复合材料(Composite )、钻石、CVD钻石、与类钻碳(Diamond-Like Carbon ；DLC)等。在本专利技术的实施例中，一或两个以上的系统单元30的完整或主要结构完成于载具10之上。具体而言，载具10作为此系统单元30的构建基础。例如，一或两个以上的系统单元30通过化学沉积、物理沉积、电镀、合成、自组装(self-assembly)等法形成于载具10之上。此外，除上述制造方法外，切割、研磨、抛光、光刻、蚀刻、热处理等亦可选择性地应用于完成系统单兀30之中。依据本专利技术的实施例的系统单元30为光电半导体，其形成方式为通过外延成长多层半导体层于作为载具10的成长基板之上。若两个以上的系统单元30形成于共同基板之上，相邻系统单元30间可通过形成沟槽或绝缘区以达电性、物理分离。惟系统单元30间的电性布局(electrical layout)尚可利用内部连接、夕卜部连接、或其二者达成。相关文献可参见本案申请人的台湾专利第434917号及第1249148号，其并被援引为本案的一部分。具体而言，系统单元30最少包含第一电性层、转换部、以及第二电性层。第一电性层及第二电性层是彼此中至少两个部分的电性、极性或掺杂物相异、或者是分别用以提供电子与空穴的半导体材料单层或多层(“多层”是指两层或两层以上，以下同。)，其电性选择可以为P型、η型、及i型中至少任意两者的组合。转换部位于第一电性层及第二电性层之间，为电能与光能可能发生转换或被诱发转换的区域。电能转变或诱发光能者例如是发光二极管、液晶显示器、有机发光二极管；光能转变或诱发电能者例如是太阳能电池、光电二极管。依据本专利技术的另一实施例的系统单元30为发光二极管，其发光频谱可以通过改变半导体单层或多层的物理或化学要素进行调整。常用的材料例如是磷化铝镓铟(AlGaInP)系列、氮化铝镓铟(AlGaInN)系列、氧化锌(ZnO)系列等。转换部的结构例如是:单异质结构(single heterostr本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电结构，包含：一或多个光电元件；胶材覆盖该一或多个光电元件；多个扩张电极位于该光电元件未被该胶材覆盖的位置以及该胶材之上；及次载体位于该胶材未被该多个扩张电极覆盖的表面上，并具有至少一个出光面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：谢明勋，韩政男，洪盟渊，刘欣茂，李宗宪，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：