耐电浆构件及其再生方法技术

本发明专利技术提供一种即使暴露于电浆也难以产生微粒且可再利用的耐电浆构件，该耐电浆构件具有预定的表面形状，在电浆蚀刻腔室内使用。该耐电浆构件具备：第1SiC层12，其通过CVD法所形成且被暴露于电浆蚀刻处理而表面腐蚀；及第2SiC层13，其于所述第1SiC层12的腐蚀的表面上通过CVD法层迭且被机械加工成表面具有所述预定的表面形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在电浆蚀刻腔室内使用的耐电浆构件，特别涉及在半导体装置制造工程中，对基板等进行电浆蚀刻处理时使用的聚焦环、淋浴头、静电吸盘等构件。另外，本专利技术还涉及使这种耐电浆构件再生的方法。
技术介绍
在半导体装置制造工程中有使用电浆蚀刻处理装置，其通过于腔室内导入预定的气体，且在兼作基板的搭置台的下部电极与同该下部电极相对设置的上部电极之间施加高频电压，产生电浆，利用该电浆来对基板实施电浆蚀刻处理。在该电浆蚀刻处理装置中，阻止保持基板的静电吸盘因电浆而腐蚀的方法，是在静电吸盘的外周部嵌合聚焦环。聚焦环的材质，一般大多使用纯度高，可控制电阻，且价格便宜的单结品Si。但是，单结品Si会因电浆而容易腐蚀，所以容易产生微粒，且会有可使用的时间短的问题。于是，例如在专利文献I中提出了在暴露于电浆的表面部分形成CVD-SiC (化学蒸镀法碳化硅)膜。因为CVD-SiC与Si (硅)相比难腐蚀，所以不易产生微粒，可使用时间长1.8 2.3 倍。特开2006-128372号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，CVD-SiC比Si贵2 4倍，且使用过的聚焦环会有形成产业废弃物的问题。本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，其目的在于提供一种即使暴露于电浆也难以产生微粒且可再利用的耐电浆构件。本专利技术的另一目的在于提供一种使这种耐电浆构件再生的方法。用以解决课题的手段为了实现上述目的，本专利技术的耐电浆构件是具有预定的表面形状，而被使用于电浆蚀刻腔室内的耐电浆构件，其特征在于，其具备:第ISiC层，其通过CVD法所形成且被暴露于电浆蚀刻处理而表面腐蚀；及第2SiC层，其于所述第ISiC层的腐蚀的表面上通过CVD法层迭且被机械加工成表面具有所述预定的表面形状。在此，所述耐电浆构件为淋浴头、聚焦环或静电吸盘。又，本专利技术的具有预定的表面形状，而被使用于电浆蚀刻腔室内的耐电浆构件的再生方法，其特征在于:所述耐电浆构件至少在表面部具备通过CVD法形成的第ISiC层，在暴露于电浆蚀刻处理而表面腐蚀的使用过的所述耐电浆构件的所述第ISiC层的表面上通过CVD法重新层迭第2SiC层，将被层迭的第2SiC层的表面机械加工成所述预定的表面形状。本专利技术的效果:根据本专利技术，可以提供一种即使暴露于电浆也难以产生微粒且可再利用的耐电浆构件。附图说明图1是表示电浆处理装置的构成的剖面图。图2是表示因电浆蚀刻处理而腐蚀的聚焦环的剖面图。图3是用以说明已使用过的聚焦环的再生方法的剖面图。附图标记I聚焦环2电浆蚀刻腔室3气体供给口 4气体排气口 5淋浴头保持构件6气体供给室7淋浴头8喷出穴9下部电极10静电吸盘11高频电源12 SiC层(第ISiC层)13第2SiC层E腐蚀部分S基板具体实施例方式以下，根据附图所示的较佳实施形态来详细说明本专利技术。图1表示具备聚焦环I的电浆处理装置的构成。电浆处理装置包括电浆蚀刻腔室2，该电浆蚀刻腔室2的内部与外部之间保持气密性。在电浆蚀刻腔室2内的上面设置有用以供给反应气体的气体供给口 3，在电浆蚀刻腔室2内的下面设置有用以将反应气体排气的气体排气口 4。气体供给口 3被连接至未图示的气体供给源，用以使电浆产生的反应气体会由气体供给源经由气体供给口 3供给至电浆蚀刻腔室2内。并且，气体排气口 4被连接至未图示的减压装置，通过减压装置使电浆蚀刻腔室2内形成预定的真空度，并且通过调节使得即使被供给反应气体，电浆蚀刻腔室2内照样会维持预定的真空度。可利用真空泵、低温盘管等作为减压装置。气体供给口 3被连接至淋浴头保持构件5。淋浴头保持构件5在其内部具有中空的空间气体供给室6，从气体供给口 3供给反应气体至气体供给室6。另外，淋浴头保持构件5与电浆蚀刻腔室2彼此被电性绝缘。在淋浴头保持构件5的下侧安装淋浴头7，该淋浴头7能够覆盖气体供给室6的下面。在淋浴头7形成有从其上面贯通至下面的复数的喷出孔8，从气体供给室6供给的反应气体会经由复数的喷出孔8喷出至淋浴头7的下方。并且，淋浴头7具有以导电性的材料所形成的上部电极，在淋浴头7的下方形成电浆产生空间P。在电浆蚀刻腔室2内的下部，与淋浴头7相对的位置上，夹着电浆产生空间P而设置有下部电极9及静电吸盘10。下部电极9与淋浴头7的上部电极平行设置，且被接地。藉此，下部电极9与淋浴头7的上部电极形成用以使电浆产生的电极对。另一方面，静电吸盘10被设置于下部电极9的上部，从未图示的高压直流电源来施加电压，藉此在与设置于静电吸盘10上面的基板S之间产生静电力，将基板S固定于静电吸盘10。另外，静电吸盘10与电浆蚀刻腔室2彼此被电性绝缘。淋浴头7的上部电极经由淋浴头保持构件5连接至高频电源11。高频电源11是供给用以产生电浆的电力的电源，可利用在电浆处理装置中使用的周知的高频电源。聚焦环I是具有嵌入基板S的圆形凹部的圆环状的构件，被嵌合于静电吸盘10的外周部，以使搭载基板S的静电吸盘10不直接暴露于电浆。并且，如图1所示，聚焦环I的凹部在嵌入基板S时,聚焦环I暴露于电衆的表面与基板S暴露于电衆的表面会形成同一面。聚焦环I的材料并无特别的限定，只要至少表面具有通过CVD法形成的SiC层即可。图2是表示因电浆蚀刻处理而腐蚀的聚焦环I的剖面图。图中所示的虚线表示使用前的聚焦环I的预定形状。重复对基板S进行电浆蚀刻处理，一旦长时间进行，则形成聚焦环I的SiC层12会从直接被暴露于电浆的部分腐蚀，随即形成如图2所示那样的深沟，即腐蚀部分E。—旦形成这种腐蚀部分E,则基板S的表面与SiC层12暴露于电衆的面不会成同一面，电浆的产生电场P会变化，因此对基板S的电浆蚀刻处理带来障碍。其结果是，这种聚焦环I无法持续使用，必须重新更换预定形状的聚焦环。参照图3来说明本专利技术的耐电浆构件的再生方法。图3(A)所示的聚焦环I是暴露于电浆蚀刻处理，通过CVD法所形成的第ISiC层12的一部分腐蚀的使用过的聚焦环。图中所示的E表示腐蚀部分，虚线是表示使用前的聚焦环I的预定形状。首先，如图3(B)所示，在暴露于电浆蚀刻处理而表面腐蚀的第ISiC层12的腐蚀的表面上，通过CVD法层迭新的第2SiC层13。层迭第2SiC层13的厚度并无特别的限定，只要可被覆腐蚀部分E即可。另外，在层迭第2SiC层13之前，最好洗净附着于使用过的聚焦环I的表面的杂质。其次，如图3(C)所示，将被层迭的第2SiC层13的表面予以机械加工成使用前的表面形状。机械加工的方法并无特别的限定，只要可加工成预定的形状即可，例如可以列举的有利用金刚石磨料颗粒进行机械研磨的方法。以本实施形态的耐电浆构件的再生方法来令使用过的聚焦环再生，藉此可取得能再利用的聚焦环，其具备:通过CVD法所形成且被暴露于电浆蚀刻处理而表面腐蚀的第ISiC层12、及在第ISiC层12的腐蚀的表面上通过CVD法来层迭且被机械加工成表面具有预定的表面形状的第2SiC层13。并且，本实施形态的耐电浆构件的再生方法比制造新的聚焦环更便宜，因此只要将此聚焦环再利用2 4次，便可相当地减少再利用全体的成本。使用过的聚焦环I的腐蚀部分E的深度并无特别的限定，但优选为I 1.5mm。只要再生如此深度的聚焦环，便可比新的聚焦环I所花费的费用更便宜。在本实施形态使用聚焦环作为耐电浆构件，但并非限于此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：川本聪，中村将基，高原英幸，万俊·吴，
申请(专利权)人：三井造船株式会社，株式会社ADMAP，
类型：
国别省市：