本发明专利技术公开了一种直立式电浆产生装置，包括一第一腔体，至少两个第二腔体、至少两个电极板，至少两个导体屏蔽结构，搭配至少一射频功率源。通过至少两个导体屏蔽结构，本发明专利技术直立式电浆产生装置能达成同时实现多片基板的电浆制程，并具有可消除多腔室间的气流与射频干扰的功效，以适用于各种薄膜材料的沉积。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种产生电浆的装置，更特别涉及一种直立式电浆产生装置，能达成同时生产多片基板的目标，并具有可消除多腔室之间射频干扰的功效。
技术介绍
在今日半导体制程技术中，电浆可进行非常有效的电浆辅助化学气相蒸镀(plasma-assisted chemical vapor deposition)、电衆辅助蚀刻(plasma-assistedetching)、以及电衆高分子化(plasma polymerization)等薄膜制程及蚀刻工作。现今多种产业皆运用到电浆制程技术，如太阳能厂以及晶圆厂。例如，在太阳能电池中的传统微晶硅质薄膜的制程方式，即是在电衆增强型化学式气相沉积(Plasma enhance chemical vapordeposition, PECVD)制程中通入大量氢气与硅烷做稀释，再反应形成微晶硅质薄膜，藉以提升硅薄膜太阳能电池的效率与产能的目标。在电浆增强型化学式气相沉积制程中，电浆由射频功率所激发，而电浆中的射频频率的提升可以增加镀膜速率。当欲镀膜的基板面积增大时，在其上传递的射频电磁波将会因相位变化造成电场的变动，相对地也影响了电浆的均匀性及后续镀膜的品质。尤其是在今日薄膜液晶显不器(Thin film transistor liquid crystal display,TFT LCD)厂与太阳能厂，其所使用的镀膜基板多为一平方公尺以上的大面积玻璃基板时，射频电磁波在腔体的不稳定将会严重影响组件量产的效率及成本。参照美国专利中6，228，438号，标题为应用于大面积基板的电浆反应器(Plasmareactor for the treatment of large size substrates),其公开了一种透镜型电极板。该电极板表面以高斯椭圆函数分布以匹配电场分布，产生一均匀电浆。然而该案中所公开的设备并无法运用在直立电极式腔体以缩小设备所占面积。鉴于提高产能需求，有需提出一种直立式电浆产生结构装置以达到降低成本的目标。另参照中国专利201183822Y号，标题为薄膜沉积装置，其公开了一种多片基板式直立式电浆产生装置，该装置可以以直立式腔体进行至少两个基板的电浆制程，具有节省成本的功效。然而该装置易使各电浆产生区域间产生射频功率干扰情形，影响制程质量，此外亦会产生高温的电弧放电现象并损伤设备。为改善此现象，因此有需要提出一种具有良好屏蔽效能的腔体设计方式。
技术实现思路
针对现有技术存在的缺陷和不足，本专利技术的主要目的在于提供一种直立式电浆产生装置，达成同时生产多片基板的目标，且能消除多腔室间的干扰的创新保护方式，以改善气流与射频互扰的情形。为达到上述主要目的，本专利技术采用以下技术方案:一种直立式电浆产生装置，通过该装置可达到以直立式腔体进行多片式生产，该装置包括:一第一腔体；至少两个第二腔体；至少两个导体屏蔽结构；至少两个电极板以及至少一射频功率源。第一腔体的外表面电性地接地，第一腔体设有一第一进气口及第一出气口，第一进气口用以通入制程气体，第一出气口用以排出气体。第二腔体配置于第一腔体的内部，其外面皆电性接地并连接至第一腔体的外表面，第二腔体皆设有一第二进气口，用以将来自第一腔体的第一进气口通入的气体引入至第二腔体中以产生电浆。导体屏蔽结构配置于第二腔体的第二进气口与第二出气口，其具有至少两个孔洞，用以排出制程气体，且孔洞呈周期性排列，用以屏蔽第二腔体的射频电场。电极板，设置于第二腔体中，用以承载制程时的基板。射频功率源，电性连接电极板，用以提供一射频电流至电极板，以使得第二腔体中能够产生电浆。根据本专利技术的一特征，其中导体屏蔽结构上的孔洞可以选自正方形，长方形或圆形的结构之一，且孔洞的间距小于射频电流的操作频率的对应波长的二十分的一波长。本专利技术直立式电浆产生装置具有以下功效:1.以导体屏蔽结构有效阻挡第二腔体中的射频电场外泄至非电浆产生区域，减少电浆生成物的污染以及避免产生电弧放电损伤设备；2.导体屏蔽结构可有效阻挡多片生产时，各电浆制程区域间的射频电场互扰，可提高电浆制程的稳定性；以及3.导体屏蔽结构可同时提供基板上的气体一均匀的流场分布，可使基板上具有均匀的电浆密度。以直立式腔体形式达成多片基板同时生产的目标，并且改善各电浆腔室间射频干扰的情形。为让本专利技术的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举数个较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术直立式电浆产生装置的结构示意图。图2为本专利技术的第一实施例的结构示意图。图3a为本专利技术的第二实施例的结构示意图。图3b为本专利技术的第三实施例的结构示意图。图4为本专利技术的第四实施例的结构示意图。图5为本专利技术的第五实施例的结构示意图。主要组件符号说明100:直立式电浆产生装置130:电极板210:金属网110:第一腔体140:基板211:金属网格111:第一进气孔150:射频功率源310:气体分散板112:第一出气孔151:阻抗匹配器410:射频功率源120:第二腔体152:射频传输线411:阻抗匹配器 121:第二进气孔160:真空源412:射频传输线122:导体屏蔽结构170:气体分散板510:接地单元123:孔洞具体实施例方式现请参照图1，本专利技术直立式电浆产生装置100，包括:第一腔体110，至少两个第二腔体120，至少两个导体屏蔽结构122，至少两个电极板130，以及至少一射频功率源150。第一腔体110的外表面电性接地，使第一腔体成为一零电位的物体，其可将电场屏蔽于第一腔体110中，以防止电场外泄而与直立式电浆产生装置100外的电子仪器产生干扰而影响其运作。第一腔体110的表面上具有第一进气口 111及第一出气口 112，如图所示，第一进气口 111及第一出气口 112在该第一腔体的表面处于相对的位置上。其中第一进气口 111用以连接一制程气体源，用以通入制程气体，而第一出气口 112用以排出气体。在第一腔体110中，配置有至少两个第二腔体120以作为电浆制程区域。为达到与第一腔体110所具有的屏蔽电场功效，第二腔体120的外表面亦需电性地接地，其接地方式可藉由将其与第一腔体110的外表面电性地连接而达成。为产生电浆，第二腔体120皆具有第二进气口 121，亦即每一个第二腔体120皆具有独立的第二进气口 121。第二进气口用以将第一进气口 111通入的气体引入第二腔体120中以产生电浆。第二腔体120皆具有具有第二出气口 122，亦即每一个第二腔体120皆具有独立的第二出气口 122。第二腔体120的制程残余气体经第二出气口 122，从第一出气口112排出。在第二腔体120中，配置至少两个电极板130，亦即每一个第二腔体120皆具有独立地至少有一电极板130，该电极板130用以呈载制程基板140，使直立式电浆产生装置100可对基板140进行一蚀刻、一沉积薄膜或一表面改质制程。基板140选自于玻璃、石英、塑料、透明可挠性基板所组成族群中的任何一种材料。为了得到较佳的透光特性与较低的制造成本，可采用透光性较佳的玻璃。在直立式电浆产生装置100中，的电浆产生所需能量由一射频功率源150提供，射频功率源150产生一射频电流。射频功率源150，设置在第一腔体110的外部，电性地连接电极板130，用以提供射频电流于本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种直立式电浆产生装置，其特征在于，包括：一第一腔体，该腔体的外表面电性地接地，该腔体设有一第一进气口及第一出气口，该第一进气口用以通入制程气体，第一出气口用以排出气体；至少两个第二腔体，配置于第一腔体的内部，第二腔体的外面皆电性接地并连接至第一腔体的外表面，第二腔体皆设有一第二进气口，用以将来自第一腔体的第一进气口通入的气体引入至第二腔体中以产生电浆；至少两个导体屏蔽结构，配置于第二腔体的第二进气口与第二出气口，其具有至少两个孔洞，用以排出制程气体，且该孔洞呈周期性排列，用以屏蔽第二腔体的射频电场；至少两个电极板，设置于第二腔体中，用以承载制程时的基板；以及至少一射频功率源，电性连接电极板，用以提供一射频电流至电极板，以使得第二腔体中能够产生电浆。
【技术特征摘要】
1.一种直立式电浆产生装置，其特征在于，包括: 一第一腔体，该腔体的外表面电性地接地，该腔体设有一第一进气口及第一出气口，该第一进气口用以通入制程气体，第一出气口用以排出气体； 至少两个第二腔体，配置于第一腔体的内部，第二腔体的外面皆电性接地并连接至第一腔体的外表面，第二腔体皆设有一第二进气口，用以将来自第一腔体的第一进气口通入的气体引入至第二腔体中以产生电浆；至少两个导体屏蔽结构，配置于第二腔体的第二进气口与第二出气口，其具有至少两个孔洞，用以排出制程气体，且该孔洞呈周期性排列，用以屏蔽第二腔体的射频电场； 至少两个电极板，设置于第二腔体中，用以承载制程时的基板；以及至少一射频功率源，电性连接电极板，用以提供一射频电流至电极板，以使得第二腔体中能够产生电浆。2.根据权利要求1所述的直立式电浆产生装置，其特征在于，所述直立式电浆产生装置还包括一真空源，设置于腔体外部，与腔体有一管路连接，通过该管路用以将腔体内部的气体抽出，并控制腔体的压力值位于0.0l 760托耳(Torr)之间。3.根据权利要求1所述的直立式电浆产生装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李炳寰，杨主见，叶昌鑫，黄俊凯，林佳昇，
申请(专利权)人：亚树科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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