【技术实现步骤摘要】
一种贴片双向触发二极管芯片
本技术涉及双向触发二极管芯片
,特别是指一种贴片双向触发二极管芯片。
技术介绍
双向触发二极管DB3已被大量使用在节能灯、电子镇流器、固态继电器、可控硅控制等电子产品中,仅国内市场使用量在每年5000亿支以上。现有市场上的DB3都是轴向封装DB3,不符合电子产品小型化的发展趋势,且产品存在一定的缺陷:如进口玻封DB3的价格高、交期长、供货不及时、抗浪涌能力稍差;国产塑封DB3的抗浪涌能力较好,但高温特性较差,击穿电压不稳。国产玻封DB3的抗浪涌能力差,不适合环境恶劣情况下使用的产品。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种贴片双向触发二极管芯片,用以解决现有双向触发二极管存在抗浪涌能力较差、高温特性较差的问题。本技术实施例提供了一种贴片双向触发二极管芯片,包括:硅片,所述硅片的两个表面上分别开设有位置对应的隔离槽,所述隔离槽包围有对所述硅片扩磷后形成的PN结,所述隔离槽的深度大于扩磷深度;所述隔离槽上覆盖有保护膜;所述PN结上设置有引线孔和镀金的金属电极。其中,优选地,所述扩磷深度与所述硅片厚度之比的取值范围为[1/4,1/2]。其中,优选地,所述扩磷深度与所述硅片厚度之比具体为1/3。其中,优选地,所述保护膜具体为SiO2保护膜。其中,优选地,所述金属电极具体为镍金属电极。本技术实施例中的贴片DB3具有抗浪涌能力高、高温特性好、低温稳定性好、可靠性高、成本较低的优点,而且,体积小、调整余地大,是市场上分立器件小型化的发展方向。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使 ...
【技术保护点】
一种贴片双向触发二极管芯片,其特征在于,包括:硅片,所述硅片的两个表面上分别开设有位置对应的隔离槽,所述隔离槽包围有对所述硅片扩磷后形成的PN结,所述隔离槽的深度大于扩磷深度;所述隔离槽上覆盖有保护膜;所述PN结上设置有引线孔和镀金的金属电极。
【技术特征摘要】
1.一种贴片双向触发二极管芯片,其特征在于,包括: 硅片,所述硅片的两个表面上分别开设有位置对应的隔离槽,所述隔离槽包围有对所述硅片扩磷后形成的PN结,所述隔离槽的深度大于扩磷深度; 所述隔离槽上覆盖有保护膜; 所述PN结上设置有引线孔和镀金的金属电极。2.如权利要求1所述的贴片双向触发二极管芯片,其特征在于, 所述扩磷深度与所述硅片厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩建军,
申请(专利权)人:济南硅银电子科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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