半导体微波炉制造技术

技术编号:8785684 阅读:228 留言:0更新日期:2013-06-10 00:28
本实用新型专利技术适用于微波炉生产技术领域,提供了一种半导体微波炉,包括腔体和设于腔体外的半导体功率源,半导体功率源包括由电路板和半导体管组成的半导体功率板及功率输出结构,半导体管和功率输出结构设于电路板上;腔体的底部设有与腔体一体成型的向下凸起的腔体拉伸结构,所述电路板固定在所述腔体拉伸结构的外侧且所述半导体管与所述腔体拉伸结构呈热传导固定安装。本实用新型专利技术提供的半导体微波炉利用其腔体是金属、热传导性能好、半导体功率板扁平状的特点,把整个腔体作为半导体功率板的散热器,结构简单,体积小,非常适合于半导体微波炉整机的结构布置,同时半导体功率板散发的热量可以间接加热腔体内食物,提升加热速率。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于微波炉生产
,更具体地说,是涉及一种半导体微波炉的散热结构。
技术介绍
半导体微波炉产品的出现掀起了微波炉行业革命,这种微波炉借鉴了通信行业半导体应用的相关技术,利用全直流半导体芯片振荡原理,微波炉所需要的电压从4000伏特降低至32伏特,产生出符合民用加热标准的2450MHz±50MHz卿2.45G)频段微波,进行微波加热。微波功率大小由半导体芯片功率大小和数量决定,因此半导体微波炉也叫做RF射频微波炉或者固态微波炉。半导体微波炉取消了磁控管,不再需要高压电源,半导体微波炉也因此成为了低压微波炉,所用电压缩小了 100倍,不再因为需要高压强电而导致功率损耗大,或是用电出现安全隐患等,同时,内部使用空间得到了充分的释放,这也使得微波炉变得更加轻薄,使得现有的传统微波炉的内部构造大大改善,同时能够将微波炉的外观设计成各种形状,打破现有产品规格,这样,方便实现蓄电池供电、未来也可能做成便携式微波炉。此外,半导体微波炉的寿命更是长达15年以上,远远超出了普通微波炉磁控管的寿命标准,而且在生产过程中可以节省普通微波炉制造磁控管、高压电源等大批量铜材钢材的使用,使得半导体微波炉的生产业更加环保。因此,半导体微波炉应用半导体微波技术发出微波,馈入到腔体中,加热食物。半导体在微波炉上的应用是半导体微波技术发展的必然趋势。与磁控管不同,半导体微波技术的核心器件半导体管,目前主要采用的是LDMOS管Laterally Diffused Metal OxideSemiconductor)(即横向扩散金属氧化物半导体),其体积小,单位面积需耗散的功率大,对半导体功率板的LDMOS管散热要求就很严格。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种半导体微波炉,旨在解决现有的半导体微波炉对半导体管的散热问题,提供满足要求的散热方式。为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是:提供一种半导体微波炉,包括腔体和设于所述腔体外的半导体功率源,所述半导体功率源包括由电路板和半导体管组成的半导体功率板及功率输出结构,所述半导体管和所述功率输出结构设于所述电路板上;所述腔体的底部设有与所述腔体一体成型的向下凸起的腔体拉伸结构,所述电路板固定在所述腔体拉伸结构的外侧且所述半导体管与所述腔体拉伸结构呈热传导固定安装。具体地,所述腔体拉伸结构设有凹陷的拉伸凹槽,所述电路板固定在所述腔体拉伸结构的外表面上且所述半导体管的上表面与所述拉伸凹槽的底面紧贴,所述半导体管焊接或者螺接在所述腔体拉伸结构的拉伸凹槽内。或者,进一步地具体,所述半导体微波炉还包括散热器,所述散热器包括散热基座、冷却组件和导热件,所述导热件的一端伸入到所述散热基座的内部并固定、另一端伸入到所述冷却组件的内部并固定,所述散热基座与所述腔体拉伸结构紧密固定连接,所述冷却组件通过所述导热件延长到所述腔体外侧位置并安装固定,所述散热基座上设有安装凹槽,所述电路板固定在所述散热基座的外表面上且所述半导体管的上表面与所述安装凹槽的底面紧贴,所述半导体管焊接或者螺接在所述散热基座的安装凹槽内。优选地,所述导热件为热管。优化地,所述冷却组件为多个相互平行的金属翅片的组合。进一步地,正对所述冷却组件的各金属翅片之间的开口方向还设有一第一散热风扇。进一步地,述腔体的底部还设有与所述腔体一体成型的向下凸起的散热拉伸结构,所述散热拉伸结构位于所述腔体拉伸结构的旁侧。进一步地,所述散热拉伸结构的下方且正对所述散热拉伸的位置设有一第二散热风扇。具体地,所述散热拉伸结构为多个互相平行的条状凸筋的组合。优化地,各所述条状凸筋的宽度相同且相邻两所述条状凸筋之间的间距相等。本技术提供的半导体微波炉的有益效果在于:本技术半导体微波炉利用其腔体是金属、热传导性能好、半导体功率板扁平状的特点,在腔体外凸设腔体拉伸结构,直接将半导体功率板固定在腔体拉伸结构的外表面上,并将半导体管与腔体拉伸结构的外表面或者散热基座的外表面紧贴,保证半导体管产生的热量能够以最小热阻向腔体拉伸结构及整个腔体传导,于是就在把整个腔体作为半导体功率板的散热器,大大提升了散热效率,很好地满足半导体管的散热要求;同时,该种设计结构简单,体积小,非常适合于半导体微波炉整机的结构布置;此外,半导体功率板散发的热量可以间接加热腔体内食物,提升加热速率。进一步地,在腔体上设置散热器,即通过热管连接冷却组件,大大加强腔体的散热能力,而且冷却组件可以通过热管延长到适合安装位置,利于半导体微波炉整机的结构布置。附图说明图1为本技术实施例提供的半导体微波炉的原理图;图2为本技术实施例提供的半导体微波炉中的半导体功率源的结构示意图;图3为本技术实施例提供的半导体微波炉中的散热器的剖面结构示意图;图4为本技术半导体微波炉的腔体拉伸的实施方式一的仰视图;图5为本技术实施例一提供的半导体微波炉的爆炸结构后视图;图6为本技术实施例一提供的半导体微波炉的仰视图;图7为本技术实施例一提供的半导体微波炉的后视图;图8为本技术实施例二提供的半导体微波炉的爆炸结构后视图;图9为本技术实施例二提供的半导体微波炉的仰视图;图10为本技术实施例二提供的半导体微波炉的后视图;图11为本技术半导体微波炉的腔体拉伸的实施方式二的仰视图;图12为本技术实施例三提供的半导体微波炉的爆炸结构后视图;图13为本技术实施例三提供的半导体微波炉的仰视图;图14为本技术实施例三提供的半导体微波炉的后视图;图15为本技术实施例四提供的半导体微波炉的爆炸结构后视图;图16为本技术实施例四提供的半导体微波炉的仰视图;图17为本技术实施例四提供的半导体微波炉的后视图。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。请一并参照图1至图10,现对本技术提供的半导体微波炉进行说明。半导体微波炉包括腔体I和设于腔体I外的半导体功率源2,半导体功率源2包括由电路板211和半导体管212组成的半导体功率板21及功率输出结构22,半导体管212和功率输出结构22设于电路板211上;腔体I的底部设有与腔体I 一体成型的向下凸起的腔体拉伸结构11,电路板211固定在腔体拉伸结构11的外侧且半导体管212与腔体拉伸结构11呈热传导固定安装。本技术提供的半导体微波炉利用其腔体I是金属、热传导性能好、半导体功率板21扁平状的特点,在腔体I外凸设腔体拉伸结构11,通过将半导体管与腔体拉伸结构11呈热传导固定安装,半导体管212产生的热量向腔体拉伸结构11及整个腔体I传导,于是就在把整个腔体I作为半导体功率板21的散热器,大大提升了散热效率,很好地满足半导体管212的散热要求;同时,该种设计结构简单,体积小,非常适合于半导体微波炉整机的结构布置;此外,半导体功率板21散发的热量可以间接加热腔体I内食物,提升加热速率。上述半导体管一般选用LDMOS管,当然也可以是其它合适的半导体功率管。实施例一请参见图4至图7,作为本技术实施例一提供的半导体微波炉的一本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种半导体微波炉,包括腔体和设于所述腔体外的半导体功率源,所述半导体功率源包括由电路板和半导体管组成的半导体功率板及功率输出结构,所述半导体管和所述功率输出结构设于所述电路板上;其特征在于:所述腔体的底部设有与所述腔体一体成型的向下凸起的腔体拉伸结构,所述电路板固定在所述腔体拉伸结构的外侧且所述半导体管与所述腔体拉伸结构呈热传导固定安装。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:唐相伟欧军辉张尔雄彭定元张林海
申请(专利权)人:广东美的微波电器制造有限公司美的集团股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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