本发明专利技术提供用于质谱仪中的径向幅值辅助转移RAAT的系统、方法及设备，其中沿着质谱仪的纵轴使用于RAAT的离子加速，以降低离子阱中的径向激发离子的激发能量的量值，其允许所述径向激发离子退出所述离子阱。因此，所述径向激发离子以降低的径向能量退出所述离子阱，从而减小所述径向激发离子从所述离子阱的退出角度。此外，对所述离子的组合力使得径向激发离子退出所述离子阱，同时未激发离子保持在所述离子阱中。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及质谱仪，且更具体来说涉及用于径向幅值辅助转移的线性离子阱。
技术介绍
质量选择性轴向喷射(MSAE)为质谱仪的线性离子引导件中用于选择离子及通过施加径向激发而沿着轴线喷射离子的技术。离子由RF(射频)四极场径向地捕获且由施加在离子引导件的末端处的静态DC (直流)电势轴向地捕获。轴向力归因于在离子引导件的边缘区域处轴向地产生的伪电势而出现，所述轴向力取决于径向激发的幅值。当所述幅值较高时，喷射径向激发离子
技术实现思路
附图说明参考以下图式描述实施方案，其中:图1描绘根据非限制性实施方案的质谱仪的框图；图2描绘根据非限制性实施方案的用于径向幅值辅助转移的线性离子阱的框图；图3描绘根据非限制性实施方案的可在包括图2的线性离子阱的质谱仪中施加的DC曲线；图4描绘根据非限制性实施方案的退出图2的线性离子阱的原型的离子的离子强度；图5A描绘根据非限制性实施方案的标绘为沿着线性离子阱的长度的坐标(X)的函数的组合DC电势加上伪电势分布的基本模型的图表；图5B描绘根据非限制性实施方案的标绘为沿着线性离子阱的长度的坐标(X)的函数的组合DC电势加上伪电势分布的基本模型的图表；图6描绘根据非限制性实施方案的用于径向幅值辅助转移的线性离子阱的框图；图7描绘根据非限制性实施方案的可在包括图6的线性离子阱的质谱仪中施加的DC曲线；图8描绘根据非限制性实施方案的图6的线性离子阱的横截面；图9描绘根据非限制性实施方案的用于径向幅值辅助转移的线性离子阱的框图；图10描绘根据非限制性实施方案的可在包括图9的线性离子阱的质谱仪中施加的DC曲线；图11描绘根据非限制性实施方案的用于径向幅值辅助转移的线性离子阱的框图；图12描绘根据非限制性实施方案的可在包括图11的线性离子阱的质谱仪中施加的DC曲线；图13描绘根据非限制性实施方案的用于径向幅值辅助转移的线性离子阱的框图；图14描绘根据非限制性实施方案的可在包括图13的线性离子阱的质谱仪中施加的DC曲线；图15到17描绘根据非限制性实施方案的用于径向幅值辅助转移的线性离子阱的框图；图18描绘根据非限制性实施方案的质谱仪的框图；图19描绘根据非限制性实施方案的用于径向幅值辅助转移的方法的流程图；图20描绘根据非限制性实施方案的用于径向幅值辅助转移的线性离子阱的框图；图21描绘根据非限制性实施方案的用作一系列DC电极的PCB(印刷电路板)的透视图；及图22到24描绘根据非限制性实施方案的用于径向幅值辅助转移的线性离子阱的框图。具体实施例方式说明书的第一方面提供一种用于径向幅值辅助转移(RAAT)的质谱仪，所述质谱仪包含:离子源；第一轴向加速区域，其用于沿着质谱仪的纵轴轴向地加速来自所述离子源的离子的至少一部分；至少一个线性离子阱，其经布置以从离子源接收离子，所述至少一个线性离子阱包含:入口区域，其用于在其中接收离子；出口区域，其用于将径向激发离子转移出所述至少一个线性离子阱；至少一个DC (直流)电极，其用于施加DC势垒以防止未激发离子退出所述至少一个线性离子阱；径向激发区域，其在所述入口区域与所述出口区域之间，所述径向激发区域用于选择性地径向激发在至少一个线性离子阱中捕获的离子，从而产生径向激发离子；第二轴向加速区域，其用于归因于由RF场强度的降低产生的伪电势(pseudo-potential)而沿着纵轴进一步朝向出口区域加速径向激发离子,使得归因于第一轴向加速区域及第二轴向加速区域的对径向激发离子的力的组合作用使径向激发离子克服DC势垒，而未激发离子(其未被径向激发)保持在至少一个线性离子阱中。质谱仪进一步包含检测装置，其用于接收及分析退出至少一个线性离子阱的径向激发离子的至少一部分。第一轴向加速区域可定位在离子源与至少一个线性离子阱之间，通过向所述离子的所述至少一部分提供纵向DC电势而发生所述第一轴向区域中的加速。第一轴向加速区域可定位在至少一个线性离子阱中在出口区域之前，所述第一轴向区域中的加速可通过以下各者中的至少一者而发生:在第一轴向加速区域中提供RF场的差异以在所述第一轴向加速区域处产生对径向激发离子的伪电势纵轴向力；及在第一轴向加速中提供纵向DC电势。提供RF场的差异可包含在第一加速区域中提供RF梯度。所述至少一个离子阱可包含RF电极，所述RF电极之间的径向距离在第一轴向加速区域中增大，使得提供RF场的差异归因于距离变化而发生。RF电极之间的距离可归因于RF电极的形状的变化。RF电极为以下各者中的至少一者:在第一轴向加速区域中直径减小；在第一轴向加速区域中为锥形；及在第一轴向加速区域中为阶梯形(stepped)。第一加速区域可在径向激发区域与出口区域之间，且至少一个线性离子阱可包含径向激发区域中的第一组RF电极及第一加速区域中的第二组电极，所述第二组RF电极经由电路电连接到第一组RF电极，所述电路引起径向激发区域与第一加速区域之间的RF场的变化，使得RF场的差异是由所述变化引起。换句话说，径向激发离子的轴向加速是归因于源自RF场的变化的伪电势力。第二轴向加速区域可邻近于出口区域，且至少一个DC电极可邻近于出口区域而定位。第二轴向加速区域可定位在第一加速与出口区域之间，至少一个DC电极可定位在第一加速与出口区域之间。径向激发区域可包含至少一组RF电极以用于产生径向激发离子，且包含至少一组DC电极以用于提供纵向DC电势。所述第二轴向加速区域可邻近于出口区域，且至少一个DC电极也可邻近于出口区域而定位。至少一组DC电极之间的距离可从DC电极的进入端到DC电极的出口端增大，从而提供纵向DC电势。至少一组DC电极中的每一者可包含一系列相对DC电极以用于产生纵向DC电势，所述系列的相对DC电极经独立控制而在DC电势在所述系列中的每一连续电极中步进时将纵向DC电势施加到离子。径向激发区域可包含第一轴向加速区域，且对径向激发离子的纵轴向力可归因于径向激发区域中的分段RF电极 ，所述分段RF电极各自具有相应的所施加DC电压，所施加DC电压从径向加速区域的进入端到径向加速区域的出口端降低。径向激发区域可包含第一轴向加速区域，对径向激发离子的纵轴向力是归因于径向加速区域中的RF电极上的电阻性涂层。第一轴向加速区域可在径向激发区域与末端阱(end trap)之间，其中在第一轴向加速区域中提供纵向DC电势的差异可包含:在第一轴向加速区域中施加第一 DC电势以用于在选择性径向激发期间捕获径向加速区域中的离子，第一 DC电势大于径向激发区域中的DC电势；及在第一轴向加速区域中施加小于第一 DC电势且小于径向激发区域中的DC电势的第二 DC电势，使得径向激发区域中的离子通过第一轴向加速区域加速，且归因于纵向DC电势及伪电势的对径向激发离子的力的组合使径向激发离子克服DC势垒。径向激发区域可包含至少一组RF电极以用于产生径向激发离子且包含至少一组DC电极以用于提供递减的DC电势，且其中，在施加第二 DC电势之前，在径向激发区域中施加递减的DC电势，因此施加对径向激发离子的额外加速力。至少一个线性离子阱可经启用以经由以下各者中的至少一者产生径向激发离子:AC (交流)场；使1^电压接近所选择离子的非稳定阈值；且将RF电压升高到所述非稳定阈值或所述非稳定阈值以上达激发持续时间且接着降低本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大·洛博达，
申请(专利权)人：DH科技发展私人贸易有限公司，
类型：
国别省市：
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