一种采用双金线芯片封装结构的大功率MEMS麦克风制造技术

本实用新型专利技术涉及一种采用双金线芯片封装结构的大功率MEMS麦克风，包括封装电路板壳体、双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片1和电容组。封装电路板壳体包括封盖2、底座电路板3和封装壳体壁4，电容组包括至少两个电容器5，双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片1和电容器5与底座电路板3电连接，封盖2、底座电路板3和封装壳体壁4将双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片1和电容器5封装形成MEMS麦克风整体。双金线MEMS芯片封装结构包括MEMS芯片6、两条金线7和封装引脚，MEMS芯片6与封装引脚通过两条金线7电连接。本实用新型专利技术具有芯片输出功率更高，可以满足更多大功率设备要求的特点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种大功率MEMS麦克风，特别涉及一种采用双金线芯片封装结构的大功率MEMS麦克风，属于多媒体传声器领域。
技术介绍
目前，现有常用的MEMS麦克风芯片的封装结构通常采用单金线电连接封装，具体是在芯片的表面金属层上采用压焊工艺将单根金线的一端焊接固定，金线的另一端与封装引脚焊接固定，从而形成单根金线电连接的方案。这种方式限制了芯片的功率输出范围，具体是这种采用单金线封装的芯片仅能够承受40安培的浪涌电流，这种通流能力已经不能够满足现有大功率设备的要求，从而不适当缩小了 MEMS麦克风的应用领域。
技术实现思路
本技术公开了新的方案，采用双金线芯片封装结构增大MEMS麦克风芯片的输入功率，解决了采用单金线芯片封装结构MEMS麦克风无法满足现有大功率设备的问题，扩大了 MEMS麦克风的应用领域。本技术采用双金线芯片封装结构的大功率MEMS麦克风包括封装电路板壳体、双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片I和电容组。封装电路板壳体包括表面设有声舷窗的封盖2、底座电路板3和封装壳体壁4，电容组包括至少两个电容器5，双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片I和电容器5与底座电路板3电连接，封盖2、底座电路板3和封装壳体壁4将双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片I和电容器5封装形成MEMS麦克风整体，双金线MEMS芯片封装结构包括MEMS芯片6、两条金线I和封装引脚，MEMS芯片6与封装引脚通过两条金线7电连接。本技术大功率MEMS麦克风相比采用单金线封装结构芯片的MEMS麦克具有芯片输出功率更高，可以满足更多大功率设备要求的特点。附图说明图1是本技术大功率MEMS麦克风结构示意图。图2是本技术大功率MEMS麦克风正视和后视示意图。图3是本技术大功率MEMS麦克风模块结构示意图。图1 3中，I是ASIC芯片，2是封盖，3是底座电路板，4是封装壳体壁，5是电容器，6是MEMS芯片，7是金线，8是声敏元件，9是滤波器，10是电源输入端，11是接地端，12是信号输出端，13是NC脚。具体实施方式以下结合附图，对本技术作进一步说明。如图1所示，本技术大功率MEMS麦克风结构示意图。采用双金线芯片封装结构的大功率MEMS麦克风包括封装电路板壳体、双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片I和电容组。封装电路板壳体包括表面设有声舷窗的封盖2、底座电路板3和封装壳体壁4,在本方案中，声舷窗可以包括若干规则排列的采音孔。如图2所示，底座电路板3外侧面上设有电源输入端10、接地端11、信号输出端12和若干NC脚13。电容组包括至少两个电容器5，本方案中，可以米用电容组包括一个IOpF电容器5和一个33pF电容器5的方案。双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片I和电容器5与底座电路板3电连接，封盖2、底座电路板3和封装壳体壁4将双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片I和电容器5封装形成MEMS麦克风整体。双金线MEMS芯片封装结构包括MEMS芯片6、两条金线7和封装引脚，MEMS芯片6与封装引脚通过两条金线7电连接。如图3所示，本方案的MEMS芯片6可以包括声敏元件8和滤波器9,声敏兀件8将声音信号通过滤波器9传送给ASIC芯片I,声音信号经ASIC芯片I处理后传入输出电路。金线7的直径优选是0.8mil。本方案采用双金线芯片封装结构芯片代替单金线的方案，在总电流不变的前提下，单根金线的电流减半，同时采用0.Smil通径的金线代替1.5mil通径金线，根据电子的边缘效应原理，同样长度的金线，其截面周长与其通流能力成正比，具体到本方案就是双金线的总通流能力显然比单金线强，从而解决了在不改变芯片尺寸前提下提高芯片通流能力，从而提高芯片功率的问题，使得本方案的MEMS麦克风可以满足更多大功率设备的要求，从而扩大了 MEMS麦克风的应用范围，解决了普通的采用单金线封装结构芯片MEMS麦克风不能应用于大功率设备的问题。本方案并不限于实施例公开的范围，本领域技术人员根据本方案结合公知常识作出的替代方案也属于本方案的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用双金线芯片封装结构的大功率MEMS麦克风，包括封装电路板壳体、双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片(1)和电容组，所述封装电路板壳体包括表面设有声舷窗的封盖(2)、底座电路板(3)和封装壳体壁(4)，所述电容组包括至少两个电容器(5)，所述双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片(1)和电容器(5)与底座电路板(3)电连接，封盖(2)、底座电路板(3)和封装壳体壁(4)将所述双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片(1)和电容器(5)封装形成MEMS麦克风整体，所述双金线MEMS芯片封装结构包括MEMS芯片(6)、两条金线(7)和封装引脚，MEMS芯片(6)与所述封装引脚通过所述两条金线(7)电连接。

【技术特征摘要】
1.一种采用双金线芯片封装结构的大功率MEMS麦克风，包括封装电路板壳体、双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片(I)和电容组，所述封装电路板壳体包括表面设有声舷窗的封盖(2)、底座电路板(3)和封装壳体壁(4)，所述电容组包括至少两个电容器(5)，所述双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片⑴和电容器(5)与底座电路板(3)电连接，封盖(2)、底座电路板(3)和封装壳体壁(4)将所述双金线MEMS芯片封装结构、ASIC芯片(I)和电容器(5)封装形成MEMS麦克风整体，所述双金线MEMS芯片封装结构包括MEMS芯片(6)、两条金线(7)和封装引脚，MEMS芯片(6)与所述封装引脚通过所述两条金线(7)电连接。2.根据权利要求1所述的大功率MEMS麦...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏，杨利君，欧新华，
申请(专利权)人：上海芯导电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31