【技术实现步骤摘要】
本技术是一种太阳能电池，特别涉及一种晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构。
技术介绍
现有技术中的太阳能电池正面主栅线起到收集表面电流、方便组件串焊的作用。消除正面主栅线所带来的遮光和强复合问题有两种方法，一种是将PN结制作在电池片背面的背结电池，如20世纪70年代出现的IBC ( interdigitated back contact)太阳电池和2003年美国Sun Power公司利用点接触研发的PCC(point-contact cell)太阳电池。另外一种是将发射极主栅线转移到背面的前结电池,如MWT (Metallisation wrap through)太阳电池和EWT (Emitter wrapthrough)太阳电池。以上电池在电性能方面均优于传统一代太阳能电池，但需要很大的投入成本，而且工艺不能与传统电池生产线兼容。中国专利201020550878.X，公开一种无主栅线的硅电池片，硅电池片表面仅印刷用来收集电流的副栅线，副栅线为银副栅线，副栅线宽度为0.1mm,数量为50根，横向均匀印刷在硅电池片表面。此结构使电池正面的有效发电面积减少。
技术实现思路
本技术主要是解决现有技术中存在的不足，结构紧凑，有效防止正负电极短路，对电池组的应用更加方便，有效增加发光面积的晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构。本技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:一种晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构，包括硅体，所述的硅体的上部设有电池细栅线层，所述的硅体的两侧面和折角处分别为正面电极，所述的硅体下部设有铝背场，所述的铝背场中设有背电极，所述的...
【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构，其特征在于：包括硅体（1），所述的硅体（1）的上部设有电池细栅线层（2），所述的硅体（1）的两侧面和折角处分别为正面电极（3），所述的硅体（1）下部设有铝背场（4），所述的铝背场（4）中设有背电极（5），所述的铝背场（4）与正面电极（3）间设有刻槽（6）。
【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构，其特征在于:包括硅体(1)，所述的硅体(I)的上部设有电池细栅线层(2)，所述的硅体(I)的两侧面和折角处分别为正面电极(3)，所述的硅体(I)下部设有铝背场(4)，所述的铝背场(4)中设有背电极(5)，所述的铝背场(4)与正面电极(3)间设有刻槽(6)。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构，其特征在于:所述的硅体(I)...
【专利技术属性】
技术研发人员：金友康，冯志强，
申请(专利权)人：浙江舒奇蒙光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。