【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种电磁屏蔽方法及其制品。
技术介绍
现有技术，通常采用金属外罩、沉积有金属层的或结合有金属薄片的塑料复合屏蔽罩或金属纤维复合屏蔽罩来控制电磁干扰。然而，上述屏蔽罩均存在以下缺点:所占空间大、生产成本较高、安装时难以实现屏蔽罩与印刷电路板(PCB)或柔性线路板(FPC)之间无缝安装，如此导致屏蔽效率低下，PCB板或FPC板上的电子元件产生的热量难以散发出去，以及使得电子元件工作性能不稳定，甚至损坏电子元件。于PCB板或FPC板上直接沉积树脂绝缘层，再于该绝缘层上电镀或化学镀金属层，可实现电磁屏蔽。但是，为了保证该树脂绝缘层与PCB板或FPC板之间有良好的结合力，避免绝缘层发生剥落或龟裂等现象，对所使用的树脂的粘度值有严格的限制。而能满足上述粘度要求的树脂只限于某些特殊的有机树脂，这些特殊的有机树脂成分多、结构复杂、难以制造。此外，该绝缘层的厚度较大(难以控制在纳米级别)，因而对电子元件的散热存在不良影响。另外，电镀或化学镀金属层对环境的污染较大。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术提供ー种电磁屏蔽方法。另外，本专利技术还提供一种经由上述电磁屏蔽方法制得的制品。ー种制品，包括基体及依次形成于该基体上的一绝缘层、导电层及防护层，该绝缘层为含氟ニ氧化硅层、ニ氧化硅层或氟氧化硅层，该导电层包括依次形成于所述绝缘层上的铬层及铜层，所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。ー种电磁屏蔽方法，其包括如下步骤: 提供基体； 采用化学气相沉积法，在反应温度为2(T50°C下，于基体上形成一绝缘层，该绝缘层为含氟ニ氧化硅层、ニ氧化硅层或氟氧化硅层； 采用真空镀膜...
【技术保护点】
一种制品，包括基体，其特征在于：该制品还包括依次形成于该基体上的一绝缘层、导电层及防护层，该绝缘层为含氟二氧化硅层、二氧化硅层或氟氧化硅层，该导电层包括依次形成于所述绝缘层上的铬层及铜层，所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。
【技术特征摘要】
1.一种制品，包括基体，其特征在于:该制品还包括依次形成于该基体上的ー绝缘层、导电层及防护层，该绝缘层为含氟ニ氧化硅层、ニ氧化硅层或氟氧化硅层，该导电层包括依次形成于所述绝缘层上的铬层及铜层，所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。2.按权利要求1所述的制品，其特征在于:该绝缘层通过化学气相沉积的方式形成。3.按权利要求1所述的制品，其特征在于:该绝缘层的厚度为2飞Mm。4.按权利要求1所述的制品，其特征在于:所述铬层的厚度为10(T200nm。5.按权利要求1所述的制品，其特征在于:所述铜层的厚度为30(T500nm。6.按权利要求1所述的制品，其特征在于:所述防护层的厚度为20(T300nm。7.按权利要求1所述的制品，其特征在于:该基体为印刷电路板或柔性线路板。8.按权利要求7所述的制品，其特征在于:该基体上形成有至少ー电子元件，所述绝缘层及所述导电层沉积在所述电子元件的表面及基体的表面，以使电子元件被封闭于所述绝缘层内。9.一种电磁屏蔽方法，其包括如下步骤: 提供基体； 采用化学气相沉积法，在反应温度为2(T5(TC下，于基体上形成一绝缘层，该绝缘层为含氟ニ氧化硅层、ニ氧化硅层或氟氧化硅层； 采用真空镀膜法，在室温下，以铬靶为靶材，于该绝缘层上形成ー铬层； 采用真空镀膜法，在室温下，以铜靶为靶材，于该铬层上形成ー铜层； 采用真空镀膜法，在室温下，以铬靶、不锈钢靶及镍铬合金靶中的任意ー种为靶材，于该铜层上形成一防护层，所述防护层为铬层、不锈钢...
【专利技术属性】
技术研发人员：张新倍，蒋焕梧，陈正士，徐华阳，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。