电磁屏蔽方法及制品技术

技术编号:8686577 阅读:130 留言:0更新日期:2013-05-09 05:52
本发明专利技术提供一种电磁屏蔽方法,其包括如下步骤:提供基体;采用真空镀膜法,以氧化铝或二氧化硅为蒸发材料,以氧气为补偿气体,于基体上形成一绝缘层,该绝缘层为二氧化硅层或氧化铝层;采用真空镀膜法,在室温下,以铬靶为靶材,于该绝缘层上形成一铬层;采用真空镀膜法,在室温下,以铜靶为靶材,于该铬层上形成一铜层;采用真空镀膜法,在室温下,以铬靶、不锈钢靶及镍铬合金靶中的任意一种为靶材,于该铜层上形成一防护层,所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。本发明专利技术还提供了经由上述电磁屏蔽方法制得的制品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电磁屏蔽方法及其制品。
技术介绍
现有技术,通常采用金属外罩、沉积有金属层的或结合有金属薄片的塑料复合屏蔽罩或金属纤维复合屏蔽罩来控制电磁干扰。然而,上述屏蔽罩均存在以下缺点:所占空间大、生产成本较高、安装时难以实现屏蔽罩与印刷电路板(PCB)或柔性线路板(FPC)之间无缝安装,如此导致屏蔽效率低下,PCB板或FPC板上的电子元件产生的热量难以散发出去,以及使得电子元件工作性能不稳定,甚至损坏电子元件。于PCB板或FPC板上直接沉积树脂绝缘层,再于该绝缘层上电镀或化学镀金属层,可实现电磁屏蔽。但是,为了保证该树脂绝缘层与PCB板或FPC板之间有良好的结合力,避免绝缘层发生剥落或龟裂等现象,对所使用的树脂的粘度值有严格的限制。而能满足上述粘度要求的树脂只限于某些特殊的有机树脂,这些特殊的有机树脂成分多、结构复杂、难以制造。此外,该绝缘层的厚度较大,因而对电子元件的散热存在不良影响。另外,电镀或化学镀金属层对环境的污染较大。
技术实现思路
鉴于此,本专利技术提供一种电磁屏蔽方法。另外,本专利技术还提供一种经由上述电磁屏蔽方法制得的制品。一种制品,包括基体及依次形成于该基体上的的绝缘层、导电层及防护层,该绝缘层为二氧化硅层或氧化铝层,该导电层包括依次形成于所述绝缘层上的铬层及铜层,所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。一种电磁屏蔽方法,其包括如下步骤: 提供基体; 采用真空镀膜法,以氧化铝或二氧化硅为蒸发材料,以氧气为补偿气体,于基体上形成一绝缘层,该绝缘层为二氧化硅层或氧化铝层; 采用真空镀膜法,在室温下,以铬靶为靶材,于该绝缘层上形成一铬层; 采用真空镀膜法,在室温下,以铜靶为靶材,于该铬层上形成一铜层; 采用真空镀膜法,在室温下,以铬靶、不锈钢靶及镍铬合金靶中的任意一种为靶材,于该铜层上形成一防护层,所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。通过所述方法形成的绝缘层及导电层在平面处、凹处及折缝处沉积均匀,且可以做到与基体无缝结合,可提高基体的电磁屏蔽性能。所述防护层具有较高的硬度,使所述制品在组装、使用等过程中不易被刮伤而影响其电磁屏蔽性能。另外,通过上述方法形成的所述绝缘层、导电层及防护层的膜厚较小,可使电子元件产生的热量快速的散发出去,提高制品的散热性,进而提高了电子元件性能的稳定性。另一方面,该绝缘层及导电层所占的空间小,质量轻。此外,以真空镀膜方法形成的绝缘层、导电层及防护层与基体、电子元件之间具有良好的结合力,可避免在使用过程中该绝缘层和/或导电层发生剥落或龟裂而降低制品的电磁屏蔽性能。附图说明图1是本专利技术一较佳实施例制品的剖视图。图2为本专利技术一较佳实施例真空蒸镀机的示意图。图3为本专利技术一较佳实施例真空镀膜机的示意图。主要元件符号说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制品,包括基体,其特征在于:该制品还包括依次形成于该基体上的绝缘层、导电层及防护层,该绝缘层为二氧化硅层或氧化铝层,该导电层包括依次形成于所述绝缘层上的铬层及铜层,所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。

【技术特征摘要】
1.种制品,包括基体,其特征在于:该制品还包括依次形成于该基体上的绝缘层、导电层及防护层,该绝缘层为二氧化硅层或氧化铝层,该导电层包括依次形成于所述绝缘层上的铬层及铜层,所述防护层为铬层、不锈钢层或镍铬合金层。2.权利要求1所述的制品,其特征在于:该绝缘层通过化学气相沉积的方式形成。3.权利要求1所述的制品,其特征在于:该绝缘层的厚度为3~5μm。4.权利要求1所述的制品,其特征在于:所述铬层的厚度为10~200nm。5.权利要求1所述的制品,其特征在于:所述铜层的厚度为30~500nm。6.权利要求1所述的制品,其特征在于:所述防护层的厚度为20~300nm。7.权利要求1所述的制品,其特征在于:该基体为印刷电路板或柔性线路板。8.权利要求7所述的制品,其特征在于:该基体上形成有至少一电子元件,所述绝缘层及所述导电层沉积在所述电子元件的表面及基体的表面,以使电子元件被封闭于所述绝缘层内。9.种电磁屏蔽方法,其包括如下步骤: 提供基体; 采用真空镀膜法,以氧化铝或二氧化硅为蒸发材料,以氧气为补偿气体,于基体上形成一绝缘层,该绝缘层为二氧化硅层或氧化铝层; 采用真空镀膜法,在室温下,以铬靶为靶材,于该绝缘层上形成一铬层; 采用真空镀膜法,在室温下,以铜靶为靶材,于该铬层上形成一铜层;...

【专利技术属性】
技术研发人员:张新倍蒋焕梧陈正士徐华阳
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司鸿海精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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