一种MOS管驱动电路制造技术

本发明专利技术涉及LED电源开关电路领域，特别涉及一种MOS管驱动电路，包括灌流电路；还包括二极管、充电限流电阻、第一电阻、MOS管；所述灌流电路的输出端同时连接所述二极管和所述充电限流电阻的一端；所述二极管的另一端连接所述第一电阻的一端；所述MOS管的栅极同时连接所述充电限流电阻和所述第一电阻的另一端。应用本实施例技术方案，在充电限流电阻上并联一个放电通路。该放电通路在MOS管放电时导通，在MOS管充电时反偏截止，防止了充电限流电阻影响MOS管的放电速率，保证了MOS管开关速率，提高了MOS管工作的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
—种MOS管驱动电路本专利技术涉及LED电源开关电路领域，特别涉及一种MOS管驱动电路。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor, MOSFET),简称金氧半场效晶体管、MOS管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管(NM0SFET)与P型金氧半场效晶体管(PM0SFET)。在现有的MOS管制造工艺上，MOS管栅极的引线的电流容量具有一定的限度，在灌流电路饱和导通时，内部VCC电源对MOS管栅极的瞬时充电会产生较大的电流，极易损坏MOS管的输入端。由于上述问题的存在，本领域人员为了避免MOS管的损坏，在具体的电路中通常在栅极充电的电路中串连适当的充电限流电阻，以达到限制瞬时充电的电流值的目的。本专利技术人在经过仔细研究和验证下，发现现有的电路保护措施具有以下缺陷: 现有的MOS管制造工艺上采用的充电限流电阻电阻值较大时，MOS管的栅-源极电压上升速率较慢，副边二极管的关断振铃幅度明显降低，同时辐射EMI亦会减少。但是由于电路中增加了充电限流电阻，当灌流电路截止时，MOS管的放电速率受到明显的限制； 在灌流电路充电时，其内部VCC电源产生电流，栅-源极所充的电压产生电流放电，但是由于栅-源极电压远小于灌流电路内部VCC电压，充电限流电阻的存在在明显降低了 MOS管的放电速率的同时，还会令MOS管的开关动作减慢，影响了电路的效果。
技术实现思路
本专利技术实施例的专利技术目的在于提供一种MOS管驱动电路，应用该技术方案可以防止了充电限流电阻影响MOS管的放电速率，保证了 MOS管开关速率，提高了 MOS管工作的稳定性。为了实现上述专利技术目的，本专利技术的完整技术方案是: 一种MOS管驱动电路，包括灌流电路；还包括二极管、充电限流电阻、第一电阻、MOS管；所述灌流电路的输出端同时连接所述二极管和所述充电限流电阻的一端；所述二极管的另一端连接所述第一电阻的一端；所述MOS管的栅极同时连接所述充电限流电阻和所述第一电阻的另一端。可选的，还包括第二电阻；所述第二电阻的一端连接所述MOS管的栅极，另一端连接所述MOS管的源极。可选的，所述充电限流电阻的电阻值为22 ^lOO欧姆。可选的，所述第一电阻记为R2，其电阻值为:Λ2 = OjxiEl, Rl为所述充电限流电阻的电阻值。 可选的，所述第二电阻记为R3，其电阻值为:Λ3 = 500χΛ1 , Rl为所述充电限流电阻的电阻值。由上可见，应用本实施例技术方案，在充电限流电阻上并联一个放电通路。该放电通路在MOS管放电时导通，在MOS管充电时反偏截止，防止了充电限流电阻影响MOS管的放电速率，保证了 MOS管开关速率，提高了 MOS管工作的稳定性。本专利技术还可以在MOS管的栅-源极之间并联一个第二电阻，为MOS管提供多一条的放电通路，保证了 MOS管的放电速率的同时，使得MOS管工作更稳定。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例1提供的电路 图2为本专利技术实施例2提供的电路图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1: 如图1所示，本实施例提供了一种MOS管驱动电路，它包括灌流电路(M0S管Ql与MOS管Q2构成)；还包括二极管D1、充电限流电阻R1、第一电阻R2、MOS管Q3;灌流电路的输出端同时连接二极管Dl和充电限流电阻Rl的一端；二极管Dl的另一端连接第一电阻R2的一端；M0S管Q3的栅极G同时连接所述充电限流电阻Rl和第一电阻R2的另一端。实施例2: 如图2所示，本实施例提供了一种放电速率更好的MOS管驱动电路，它包括灌流电路(M0S管Ql与MOS管Q2构成);还包括二极管D1、充电限流电阻R1、第一电阻R2、M0S管Q3;灌流电路的输出端同时连接二极管Dl和充电限流电阻Rl的一端；二极管Dl的另一端连接第一电阻R2的一端；M0S管Q3的栅极G同时连接所述充电限流电阻Rl和第一电阻R2的另一端。还包括第二电阻R3 ;第二电阻R3的一端连接MOS管Q3的栅极G，另一端连接所述MOS管的源极S。二极管Dl和第一电阻R2、第二电阻R3主要是为MOS管Q3关断提高放电回路，由于开关电源开关频率较高，所以Dl应选择快速开关二极管。充电限流电阻Rl阻值的选取，要根据MOS管的输入电容的大小、激励脉冲的频率及灌流电路的电源VCC (VCC 一般为12V)的电压大小决定，充电限流电阻Rl的电阻值为22 100欧姆。作为优选的技术方案，第一电阻R2的电阻值为:Λ2 = 0.1χΛ1 ,Rl为所述充电限流电阻的电阻值。作为优选的技术方案，第二电阻R3的电阻值为:Λ3 = 500χΛ1, Rl为所述充电限流电阻的电阻值。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如R0M/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS管驱动电路，包括灌流电路，其特征在于：还包括二极管、充电限流电阻、第一电阻、MOS管;所述灌流电路的输出端同时连接所述二极管和所述充电限流电阻的一端；所述二极管的另一端连接所述第一电阻的一端；所述MOS管的栅极同时连接所述充电限流电阻和所述第一电阻的另一端。

【技术特征摘要】
1.一种MOS管驱动电路，包括灌流电路，其特征在于:还包括二极管、充电限流电阻、第一电阻、MOS管；所述灌流电路的输出端同时连接所述二极管和所述充电限流电阻的一端；所述二极管的另一端连接所述第一电阻的一端；所述MOS管的栅极同时连接所述充电限流电阻和所述第一电阻的另一端。2.根据权利要求2所述的一种MOS管驱动电路，其特征在于:还包括第二电阻；所述第二电阻的一端连接所述MOS管的栅极，另一端连接所述MOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗中良，王戎伟，
申请(专利权)人：惠州市经典照明电器有限公司，
类型：发明
国别省市：