超导导体的制造方法、超导导体和超导导体用基板技术

本发明专利技术为超导导体的制造方法，其具有：基材准备工序，其中，准备至少在一个面上形成有沟槽的基材；超导层形成工序，其中，在所述基材的形成有所述沟槽一侧的表面上形成超导层；和切断工序，其中，在所述沟槽的部分对所述基材进行切断。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于超导电缆和超导磁体等超导机器的超导导体的制造方法、超导导体和超导导体用基板。
技术介绍
至今为止，提出了许多通过在基材上进行超导层的成膜来制造超导导体的尝试。例如，为了得到具有所期望的线材宽度的超导线材，可以举出下述方法在制作初期准备所期望宽度的金属基板，然后在该基板的表面上形成中间层，进一步在该中间层表面上形成结晶取向性良好的超导层。另外，在进一步使得到的超导线材细线化的情况下，采用了利用激光进行切断的方法、或利用狭缝加工进行切断的方法。作为狭缝加工的示例，例如在日本特开平6-68727号公报中公开了如下方法对基材的表面进行研磨，利用激光烧蚀等在研磨后的基材表面上形成氧化物高温超导膜，在上述工艺中，在将研磨后的基材切断而分割成2个以上的基材，在这样被分割的基材上形成超导膜从而得到2条以上的超导线；或者，对形成了超导膜的基材进行切断从而得到2个以上的超导线。另外，作为狭缝加工的其它示例，在日本特开2007-287629号公报中公开了下述方法该方法具备准备超导线材的工序、和利用具备相对的2个切断部的加工部对超导线材进行切断的加工工序，加工部按照将超导线材夹持于2个切断部之间的方式配置，并且按照在超导线材的宽度方向上隔着间隔而相邻接的方式至少配置有2组以上，与超导线材的一个表面相接触的切断部的接触位置相比于与超导线材的另一个表面相接触的切断部的接触位置更加位于超导线材的宽度方向的外侧。另一方面，作为激光切断的示例，在日本特开2007-141688号公报中公开了下述方法对于在基体上设置氧化物超导层而得到的低交流损失超导导体来说，所述氧化物超导层由于所述基体的宽度方向沿着所述基体的长度方向形成的2个以上的细线化沟槽分离成2个以上的细丝导体，在所述细线化沟槽上形成有高电阻氧化物。另外，在日本特开2010-192116号公报中公开了下述方法超导线材是通过在基板上依次形成中间层、超导层来进行层积而得到的，其具有被覆了保护层的结构，并且在基板上形成满足下述必要条件的狭缝1)形成于基板的与形成有超导层的面相反一侧的面上；2)具有不超过基板厚度的深度；3)在与超导线材的长度方向垂直相交的任意的截面上至少存在I个。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平6-68727号公报专利文献2 :日本特开2007-287629号公报专利文献3 :日本特开2007-141688号公报专利文献4 :日本特开2010-192116号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，例如在利用激光进行切断的方法中，在由激光产生的切断面上会发生由发热而导致的熔断痕，产生切断面的形状的不一致，结果会出现超导导体的绝缘特性因切断面的局部性突起而劣化的问题、或超导特性(临界电流特性)因切断时的热历程而劣化的问题。另外，在利用狭缝加工进行切断的方法中，与因激光切断而产生的熔断痕同样地在切断部位产生由剪切而导致的突起痕(所谓的毛边)，产生切断面形状的不一致，结果会出现超导导体的绝缘特性劣化的问题、或超导特性因剪切力而劣化的问题。需要说明的是，不仅是对基板和所有形成于基板上的各层进行切断的情况，仅对保护层、超导层和中间层等层积于基板上的层进行切断，从而在I个基板上形成具有被分割成2个以上超导层的超导导体的情况下，同样使用基于激光进行切断的方法等，也存在着所述的发生熔断痕的问题以及与其相伴的临界电流特性的局部性下降等作为超导导体的问题，和不稳定性、一致性下降等作为应用机器的问题。本专利技术是鉴于上述事实而完成的，其目的在于得到一种能够抑制细线化加工时的绝缘特性和超导特性的劣化的超导导体的制造方法、超导导体以及用于该超导导体的制造方法的超导导体用基板。用于解决问题的手段本专利技术的上述课题通过下述的技术方案得到了解决。〈1> 一种超导导体的制造方法，其具有基材准备工序，其中，准备在至少一个面上形成有沟槽的基材；超导层形成工 序，其中，在所述基材的形成有所述沟槽一侧的表面上形成超导层；和切断工序，其中，在所述沟槽的部分对所述基材进行切断。<2>如上述〈1>所记载的超导导体的制造方法，其中，所述沟槽的深度为所述超导层的厚度以上且小于所述基材的厚度。<3>如上述〈1>或〈2>所记载的超导导体的制造方法，其中，所述沟槽的最上部的开口面积大于所述沟槽的底面的面积。<4>如上述〈1> 〈3>任一项所记载的超导导体的制造方法，其中，所述沟槽的内壁面的表面粗糙度Ra为0. 02 ii m以上。<5>如上述〈1> 〈4>任一项所记载的超导导体的制造方法，其中，所述基材准备工序具有准备基板的基板准备工序、和在所述基板表面形成中间层的中间层形成工序。<6>如上述〈5>所记载的超导导体的制造方法，其中，在所述基板的至少一个面上形成有沟槽，在所述中间层形成工序中，在形成有该沟槽一侧的表面上形成所述中间层。<7>如上述〈1> 〈6>任一项所记载的超导导体的制造方法，其中，在所述基材准备工序中，准备进一步形成有第2沟槽的基材，该第2沟槽形成于所述基材的与形成有所述沟槽一侧的面相反一侧的面上。<8>如上述〈1> 〈7>任一项所记载的超导导体的制造方法，其中，所述沟槽是从所述基材的一端至另一端连续形成的。<9>如上述〈5> 〈8>任一项所记载的超导导体的制造方法，其中，至少在所述中间层形成工序之后进行所述切断工序。 <10>如上述〈1> 〈9>任一项所记载的超导导体的制造方法，其中，在所述超导层形成工序之后进行所述切断工序。〈11> 一种超导导体，其具有至少在一个面上具有沟槽的基材和超导层，所述超导层形成于所述基材的形成有所述沟槽一侧的至少除沟槽之外的表面，并且所述超导层是按照覆盖所述基材的所述沟槽部的内壁面和形成有所述超导层的面相接的角部的方式形成的。<12>如上述〈11>所记载的超导导体，其中，所述沟槽的深度为所述超导层的厚度以上且小于所述基材的厚度。〈13>如上述〈11>或〈12>所记载的超导导体，其中，所述沟槽的内壁面的表面粗糙度Ra为0. 02 u m以上。<14>如上述〈11> 〈13>任一项所记载的超导导体，其中，所述基材的与形成有所述沟槽一侧的面相反一侧的面上，进一步具有第2沟槽。〈15>如上述〈I 1> 〈14>所记载的超导导体，其中，所述沟槽是从所述基材的一端至另一端连续形成的。<16> 一种超导导体用基板，其中，一个面的表面粗糙度Ra为小于0. 02 U m,在所述一个面上形成有沟槽。<17>如上述〈16>所记载的超导导体用基板，其中，侧面、所述沟槽的内壁面和底面的表面粗糙度Ra为0. 02 ii m以上。<18>如上述 〈16> 〈17>所记载的超导导体用基板,其中，与形成有所述沟槽一侧的面相反一侧的面上，进一步具有第2沟槽。根据本专利技术，可以得到得到一种能够抑制细线化加工时的绝缘特性和超导特性的劣化的超导导体的制造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.08.02 JP 2011-1696081.一种超导导体的制造方法，其具有 基材准备工序，其中，准备在至少一个面上形成有沟槽的基材； 超导层形成工序，其中，在所述基材的形成有所述沟槽一侧的表面上形成超导层；和 切断工序，其中，在所述沟槽的部分对所述基材进行切断。2.如权利要求1所述的超导导体的制造方法，其中，所述沟槽的深度为所述超导层的厚度以上且小于所述基材的厚度。3.如权利要求1或2所述的超导导体的制造方法，其中，所述沟槽的最上部的开口面积大于所述沟槽的底面的面积。4.如权利要求1 权利要求3任一项所述的超导导体的制造方法，其中，所述沟槽的内壁面的表面粗糙度Ra为0. 02 ii m以上。5.如权利要求1 权利要求4任一项所述的超导导体的制造方法，其中，所述基材准备工序具有准备基板的基板准备工序、和在所述基板表面形成中间层的中间层形成工序。6.如权利要求5所述的超导导体的制造方法，其中，在所述基板的至少一个面上形成有沟槽，在所述中间层形成工序中，在形成有该沟槽一侧的表面上形成所述中间层。7.如权利要求1 权利要求6任一项所述的超导导体的制造方法，其中，在所述基材准备工序中，准备进一步形成有第2沟槽的基材，该第2沟槽形成于所述基材的与形成有所述沟槽一侧的面相反一侧的面上。8.如权利要求1 权利要求7任一项所述的超导导体的制造方法，其中，所述沟槽是从所述基材的一端至另一端连续形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：长洲义则，坂本久树，樋口优，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：
国别省市：