一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法技术

本发明专利技术公开一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法，包括将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨、浸入苯甲醇溶液、浸入银浆和烘干固化等步骤，完成对氧化铌电容器的石墨、银浆层的制备。本发明专利技术由于采用了在油性石墨前增加浸渍苯甲醇溶液的处理工艺，有效的抑制了氧化铌电容器在高温125℃容量变化，提高了氧化铌电容器在高温环境中的可靠性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电容器制造领域，特别是涉及。
技术介绍
氧化铌电容器是一种以一氧化铌粉作为核心材料的新型电解电容器，它不但具有钽电容器体积小、容量大、损耗角正切小、电性能稳定的优点，还具有使用电压降幅小、不燃烧特点，因此氧化铌电容器成为高速处理的低电压低功耗电子装备首选产品。目前，石墨、银浆层作为铌电容器的阴极，铌电容器石墨、银浆层的传统制备方法如下将被膜好的钽铌块浸入水性石墨，高温固化冷却后浸入油性石墨，最后浸入银浆。氧化铌电容器采用这种传统石墨、银浆层的制备方法的缺点是电容器在高温125°C下容量变化大，电容器会因为环境温度过高而导致输出波形失真、电路无法正常工作。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术旨在提供一种片式氧化铌电容器的石墨、银浆层制备方法，利用该方法制造的氧化铌电容器在125°C下容量变化满足技术标准要求，并能够在125°C的环境下维持正常工作。本专利技术采取的技术方案为，所述该方法包括以下步骤I)将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨，浸溃深度为芯子高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ；2)取出后,用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨,室温放置5 IOmin,再放入140 200°C烘箱内固化10 60min ；3)氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ；4)取出后，将浸溃过苯甲醇溶液的芯子浸入油性石墨，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ；5)缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置5 lOmin，再放入140 200°C烘箱内固化10 60min ；6)将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入银浆，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ；7)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆，室温放置5 lOmin，再放入160 230°C烘箱内固化10 60min。作为本专利技术的进一步优选方案，所述步骤I)水性石墨按照体积比为原瓶石墨去离子水=1: (2 10)配制。作为本专利技术的进一步优选方 案，所述步骤4)油性石墨按照体积比为原瓶石墨苯甲醇=1: (I 5)配制。作为本专利技术的进一步优选方案，所述步骤6)银浆按照体积比为原瓶银浆乙酸丁酯=1: (2 10)配制。本专利技术由于采用了在油性石墨前增加浸溃苯甲醇溶液的处理工艺，有效的抑制了片式氧化铌电容器在高温125°C容量变化，提高了氧化铌电容器在高温环境中的可靠性和稳定性。具体实施例方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步描述，在此专利技术的示意性实施例以及说明用来解释本专利技术，但并不作为对本专利技术的限定。实施例1I)将被膜好的氧化铌块芯子浸入体积比为原瓶石墨去离子水=1:2的水性石墨，浸溃深度为芯子高度的3/4，浸溃时间为3S ；2)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨，室温放置5min,再放入140°C烘箱内固化IOmin ；3)氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸溃深度为芯子总高度的3/4,浸溃时间为3S ；4)取出后，将浸溃过苯甲醇溶液的芯子浸入体积比为原瓶石墨苯甲醇=1:2的油性石墨，浸溃深度为芯子总高度的3/4，浸溃时间为3S ；5)缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置5min，再放入140°C烘箱内固化IOmin ；`6)将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入体积比为原瓶银浆乙酸丁酯=1:2的银浆，浸溃深度为芯子总高度的3/4，浸溃时间为3S ；7)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆，室温放置5min，再放入160°C烘箱内固化IOmin。实施例2I)将被膜好的氧化铌块芯子浸入体积比为原瓶石墨去离子水=1:10的水性石墨，浸溃深度为芯子高度的4/5，浸溃时间为IOS ；2)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨，室温放置lOmin，再放入200°C烘箱内固化60min ；3)氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸溃深度为芯子总高度的4/5，浸溃时间为IOS ；4)取出后，将浸溃过苯甲醇溶液的芯子浸入体积比为原瓶石墨苯甲醇=1:5的油性石墨，浸溃深度为芯子总高度的4/5，浸溃时间为IOS ；5)缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置lOmin，再放入200°C烘箱内固化60min ；6)将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入体积比为原瓶银浆乙酸丁酯=1:10的银浆，浸溃深度为芯子总高度的4/5，浸溃时间为IOS ；7)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆，室温放置lOmin，再放入230°C烘箱内固化60min。实施例3I)将被膜好的氧化铌块芯子浸入体积比为原瓶石墨去离子水=1:5的水性石墨，浸溃深度为芯子高度的3/4，浸溃时间为5S ；2)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨，室温放置lOmin，再放入180°C烘箱内固化30min ；3)氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸溃深度为芯子总高度的3/4,浸溃时间为5S ；4)取出后，将浸溃过苯甲醇溶液的芯子浸入体积比为原瓶石墨苯甲醇=1:3的油性石墨，浸溃深度为芯子总高度的3/4，浸溃时间为5S ；5)缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置lOmin，再放入180°C烘箱内固化30min ； 6)将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入体积比为原瓶银浆乙酸丁酯=1:5的银浆，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ;7)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆，室温放置lOmin，再放入200°C烘箱内固化30min。对比以上实施例，实施例3为本专利技术的最优制备方法，采用本方法制造的氧化铌电容器能够有效控制电容器在高温125°C时的容量变化值，使其满足技术标准要求。本实施例中选取规格为4V-330 μ F、4V_470 μ F的氧化铌电容器在高温125°C下的容量变化参数表如表I和表2 表14V-330 μ F本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法，其特征在于，所述该方法包括以下步骤：1）将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨，浸渍深度为芯子高度的3/4～4/5，浸渍时间为1～10S；2）取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨，室温放置5～10min，再放入140～200℃烘箱内固化10～60min；3）氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸渍深度为芯子总高度的3/4～4/5，浸渍时间为1～10S；4）取出后，将浸渍过苯甲醇溶液的芯子浸入油性石墨，浸渍深度为芯子总高度的3/4～4/5，浸渍时间为1～10S；5）缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置5～10min，再放入140～200℃烘箱内固化10～60min；6）将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入银浆，浸渍深度为芯子总高度的3/4～4/5，浸渍时间为1～10S；7）取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆，室温放置5～10min，再放入160～230℃烘箱内固化10～60min。

【技术特征摘要】
1.一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法，其特征在于，所述该方法包括以下步骤 1)将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨，浸溃深度为芯子高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ; 2)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨，室温放置5 lOmin，再放入140 200°C烘箱内固化10 60min ； 3)氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ； 4)取出后，将浸溃过苯甲醇溶液的芯子浸入油性石墨，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ； 5)缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置5 lOmin，再放入140 200°C烘箱内固化10 6...

【专利技术属性】
技术研发人员：江平，王安玖，
申请(专利权)人：中国振华集团新云电子元器件有限责任公司，
类型：发明
国别省市：