【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种基于逆变器箱体与散热器协同散热的散热结构，以改进逆变器的散热功能。
技术介绍
绝缘栅双极性晶体管[IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)]是由 BJT(双极性三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的符合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大=MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。目前，大部分的逆变器都采用散热器直接散热，基本上是IGBT绝缘栅双极性晶体管产生的热量通过散热器进行散热，但是有时候散热功能不佳或不能及时的将热量排到箱体外部，导致整个系统的性能达不到最佳，IGBT绝缘栅双极性晶体管也因为温度过高产生自我保护，致使功率不能始终维持在额定功率，减少了资源的利用率。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的不足，本技术为了弥补散热器散热不均和散热不足的问题，提供一种基于逆变 器箱体与散热器协同散热的散热结构。本技术为实现上述目的，所采用的技术方案是一种基于逆变器箱体与散热器协同散热的散热结构，包括逆变器箱体、散热器、IGBT绝缘栅双极性晶体管，其特征在于还包括导热材料，所述散热器固定在逆变器箱体内，在散热器与逆变器箱体之间填充有导热材料；数个所述IGBT绝缘栅双极性晶体管分别固定在散热器上，在数个IGBT绝缘栅双极性晶体管...
【技术保护点】
一种基于逆变器箱体与散热器协同散热的散热结构，包括逆变器箱体（1）、散热器（2）、IGBT绝缘栅双极性晶体管（3），其特征在于：还包括导热材料（4），所述散热器（2）固定在逆变器箱体（1）内，在散热器（2）与逆变器箱体（1）之间填充有导热材料（4）；数个所述IGBT绝缘栅双极性晶体管（3）分别固定在散热器上，在数个IGBT绝缘栅双极性晶体管（3）与散热器（2）之间填充有导热材料（4）。
【技术特征摘要】
1.一种基于逆变器箱体与散热器协同散热的散热结构，包括逆变器箱体(I)、散热器(2)、IGBT绝缘栅双极性晶体管(3)，其特征在于还包括导热材料(4)，所述散热器(2)固定在逆变器箱体(I)内，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晓鹏，杨浩然，周锎，张冶，
申请(专利权)人：天津光电润达电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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