【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率电力领域，特别涉及功率半导体器件模块领域。本专利技术涉及一种功率器件模块，具体的讲，为一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)或金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)功率模块。本专利技术适用于硅基器件和碳化硅基器件。
技术介绍
以绝缘栅双极型晶体管和金属氧化物场效应晶体管为主的功率模块，具有输出功率大并且发热量大等特点，有必要进行冷却，以确保它们的可靠运行。目前，对于功率模块散热能力的改善主要从改变模块组成材料类型以及改变模块各层材料厚度入手，如使用导热系数高的材料或增加特定层的厚度等，对模块自身结构的改变较少。模块的散热条件对模块的特性起着至关重要的作用。现有的功率模块内部通常是由硅胶填充，但硅胶的导热性能极差，功率芯片产生的热量基本无法从上方传递出去。因此，模块的散热通常是通过在底部涂抹导热硅脂，并贴敷到风冷或者水冷散热器上实现的。这种方法的散热效率较低，同时填充硅脂的功率模块结构也从根本上打消了功率芯片双向散热的可能性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题是针对传统的功率模块结构在散热能力上的不足，以及无法引入双面冷却的缺点，提供一种新型的功率模块的设计方案，利用对模块的特别设计，提高模块整体的散热效率并将芯片双面散热引入功率模块中。因此，本专利技术采用以下技术方案该模块包括模块外壳，在所述模块外壳内从下至上设置有衬底、直接覆铜层、至少两个半导体芯片以及模块外壳与衬底、直接覆铜层和半导体芯片之间填充的绝缘冷却液，所述绝缘冷却液可以为去离子水、3M Fluorinert Fluids溶液中的任意一种,所述外壳两侧设置有阀门，用以控制冷却液的...
【技术保护点】
一种新型功率半导体器件模块，该模块包括模块外壳（1），其特征在于在所述模块外壳（1）内从下至上设置有衬底（2）、直接覆铜层（3）、至少两个半导体芯片（4）以及模块外壳与衬底（2）、直接覆铜层（3）和半导体芯片（4）之间填充的绝缘冷却液，所述绝缘冷却液可以为去离子水、3M?Fluorinert?Fluids溶液中的任意一种，所述外壳两侧设置有阀门，用以控制冷却液的进出。
【技术特征摘要】
1.一种新型功率半导体器件模块，该模块包括模块外壳(I)，其特征在于在所述模块外壳(I)内从下至上设置有衬底(2 )、直接覆铜层(3 )、至少两个半导体芯片(4)以及模块外壳与衬底(2)、直接覆铜层(3)和半导体芯片(4)之间填充的绝缘冷却液，所述绝缘冷...
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