【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种移位寄存电路,特别是涉及一种具有闻驱动能力的移位寄存电路。
技术介绍
请参考图1,图1为现有技术液晶显示器100的移位寄存器102及像素阵列104的示意图。移位寄存器102包含多个移位寄存电路106用以提供多个扫描讯号,通过扫描线108耦接至像素阵列104,以扫描像素阵列104中的像素。随着液晶显示器的尺寸与日俱增,液晶显示器的分辨率,也就是像素的数目亦随之提升,使得的像素阵列104所需要的扫描线108的数量增加。为了能在固定的画面更新率(例如60Hz)扫描越来越多的像素,每一画面周期(frame)内每一条扫描线108的扫描速度必须增加,也就是每一条扫描线108所能扫描的时间必须缩短,以在同一画面周期内将所有的像素扫描完毕。然而每一条扫描线108扫描的时间缩短后,像素的充电率可能会因会扫描时间的缩短而下降或不足,影响画面品质。虽然以往使用提高扫描讯号电位的方法,可以解决像素充电率不足的问题,但此方法会增加移位寄存电路106的动态功率消耗及静态功率消耗,更由于功率消耗的增加,使得移位寄存电路106中的晶体管的尺寸无法缩小。
技术实现思路
本专利技术一实施例揭示一种第N级移位寄存电路。第N级移位寄存电路包含驱动单元、升压单元、上拉单元、主要下拉单元。驱动单元用以根据第一驱动讯号及高频时钟讯号提供栅极讯号、第一升压控制讯号及第一传递控制讯号;升压单元耦接于该驱动单元,用以根据第一升压讯号上拉该第一驱动讯号的电压;上拉单元耦接于该驱动单元,用以根据该第一传递控制讯号及该栅极讯号提供第二驱动讯号,及用以根据该第一升压控制讯号及第二升压控制讯号提供第二 ...
【技术保护点】
一种移位寄存器包含多级移位寄存电路,其中一第N级移位寄存电路,包含:一驱动单元,用以根据一第一驱动讯号及一高频时钟讯号,提供一栅极讯号、一第一升压控制讯号及一第一传递控制讯号;一升压单元,耦接于该驱动单元,用以根据一第一升压讯号,上拉该第一驱动讯号的电压;一上拉单元,耦接于该驱动单元,用以根据该第一传递控制讯号及该栅极讯号,提供一第二驱动讯号,及用以根据该第一升压控制讯号及一第二升压控制讯号,提供一第二升压讯号;及一主要下拉单元,耦接于该驱动单元,用以根据一第二传递控制讯号,下拉该第一驱动讯号。
【技术特征摘要】
2012.10.12 TW 1011378091.一种移位寄存器包含多级移位寄存电路,其中一第N级移位寄存电路,包含 一驱动单元,用以根据一第一驱动讯号及一高频时钟讯号,提供一栅极讯号、一第一升压控制讯号及一第一传递控制讯号; 一升压单元,耦接于该驱动单元,用以根据一第一升压讯号,上拉该第一驱动讯号的电压; 一上拉单元,耦接于该驱动单元,用以根据该第一传递控制讯号及该栅极讯号,提供一第二驱动讯号,及用以根据该第一升压控制讯号及一第二升压控制讯号,提供一第二升压讯号 '及 一主要下拉单元,耦接于该驱动单元,用以根据一第二传递控制讯号,下拉该第一驱动讯号。2.如权利要求1所述的第N级移位寄存电路,还包含 一第一下拉控制单元,用以根据该第一驱动讯号及一第一低频时钟讯号,提供一第一下拉讯号 '及 一第一下拉单元,耦接于该第一下拉控制单元及该驱动单元,用以根据该第一下拉讯号,下拉该栅极讯号、该第一传递控制讯号及该第一驱动讯号。3.如权利要求2所述的第N级移位寄存电路,还包含 一第二下拉控制单元,用以根据该第一驱动讯号及一第二低频时钟讯号,提供一第二下拉讯号 '及 一第二下拉单元,耦接于该第二下拉控制单元及该驱动单元,用以根据该第二下拉讯号,下拉该栅极讯号、该第一传递控制讯号及该第一驱动讯号。4.如权利要求3所述的第N级移位寄存电路,其中该驱动单元包含 一第一晶体管,具有用以接收该第一驱动讯号的一控制端,用以接收该高频时钟讯号的一第一端,及用以提供该栅极讯号的一第二端; 一第二晶体管,具有耦接于该第一晶体管的控制端的一控制端,耦接于该第一晶体管的第一端的一第一端,及用以提供该第一传递控制讯号的一第二端;及 一第三晶体管,具有耦接于该第一晶体管的控制端的一控制端,耦接于该第一晶体管的第一端的一第一端,及用以提供该第一升压控制讯号的一第二端。5.如权利要求4所述的第N级移位寄存电路,其中该上拉单元包含 一第四晶体管,具有耦接于该第二晶体管的第二端的一控制端,耦接于该第一晶体管的第二端的一第一端,及用以提供该第二驱动讯号的一第二端; 一第五晶体管,具有用以接收该第二升压控制讯号的一控制端,耦接于该第一晶体管的第二端的一第一端,及一第二端;及 一第六晶体管,具有耦接于该第三晶体管的第二端的一控制端,耦接于该第一晶体管的第二端的一第一端,及耦接于该第五晶体管的第二端的一第二端,用以提供该第二升压讯号。6.如权利要求5所述的第N级移位寄存电路,其中该第二升压控制讯号是由第N-1级移位寄存电路提供的升压控制讯号,且该第二升压讯号是由第N级移位寄存电路输出的升压讯号。7.如权利要求5所述的第N级移位寄存电路,其中该升压单元包含一第一电容,具有用以接收该第一升压讯号的一第一端,及耦接于该第一晶体管的控制端的一第二端。8.如权利要求7所述的第N级移位寄存电路,其中该升压单元还包含一第二电容,耦接于该第一晶体管的第二端及该第一电容的第一端之间。9.如权利要求7所述的第N级移位寄存电路,其中该第一升压讯号是由第N-1级移位寄存电路提供的升压讯号。10.如权利要求9所述的第N级移位寄存电路,其中该主要下拉单元包含 一第七晶体管,具有用以接收该第二传递控制讯号的一控制端,耦接于该第一晶体管的控制端的一第一端,及用以接收一第一参考电位的一第二端。11.如权利要求10所述的第N级移位寄存电路,其中该第二传递控制讯号是由第N+3级移位寄存电路提供的传递控制讯号。12.如权利要求10所述的第N级移位寄存电路,其中该第一下拉控制单元包含 一第八晶体管,具有用以接收该第一低频时钟讯号的...
【专利技术属性】
技术研发人员:詹秉燏,杨欲忠,陈勇志,蔡明谚,
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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