【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及于半导体封装
,具体是一种AAQFN 二次塑封与二次植球优化的封装件及其制作工艺。
技术介绍
随着技术的不断发展,电子封装不但要提供芯片的保护,同时还要在一定的成本下满足不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求。AAQFN封装在成熟的蚀刻工艺技术基础上,从框架设计、材料选择、焊盘结构优化等方面入手,建立完善的封装工艺技术,不断调整优化,突破窄间距(O. 4mm)、超薄型 (O. 5mm以下)封装技术难点,实现面内I/O布局列阵AAQFN封装,形成成套封装工艺技术,在一定的成本下满足了不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求。以往的AAQFN封装工艺主要是在框架蚀刻凹槽刷Solder mask,然后在引脚植入锡球,而AAQFN 二次塑封与二次植球优化在此基础上代替蚀刻凹槽刷Solder mask,采用二次塑封,二次塑封时不用贴膜,将锡球全部封住,然后采用磨屑的方法将二次塑封体去掉一部分,露出锡球横截面,随后在锡球表面电镀镍钮金,再进行二次植球。从而在低成本要求下满足不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求,具有明显的技术优势。
技术实现思路
针对上述封装技术存在的问题,本专利技术提供了一种AAQFN 二次塑封与二次植球优化的封装件及其制作工艺,其在以往AAQFN封装技术的基础上,对产品进行二次塑封与二次植球优化,促进了电子封装技术的发展。本专利技术的技术方案是一种AAQFN 二次塑封与二次植球优化的封装件,主要由蚀刻后铜引线框架、粘片胶、芯片、键合线、塑封料、蚀刻凹槽、锡球、镍钯金镀层组成。所述的蚀刻后铜引线框架是半蚀刻处理,其 ...
【技术保护点】
一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件,其特征在于:主要由蚀刻后铜引线框架(1)、粘片胶(2)、芯片(3)、键合线(4)、塑封料(5)和(8)、蚀刻凹槽(6)、锡球(7)和(10)、镍钯金电镀层(9)组成;所述的蚀刻后铜引线框架(1)是半蚀刻处理,其通过粘片胶(2)粘接芯片(3),芯片(3)通过键合线(4)与蚀刻后铜引线框架(1)的引脚相连,所述蚀刻后铜引线框架(1)、蚀刻后铜引线框架(1)的引脚、芯片(3)和键合线(4)由塑封体(5)包围连接;所述蚀刻凹槽(6)由蚀刻后铜引线框架(1)底部蚀刻后形成,所述锡球(7)由蚀刻后的引脚底部刷锡膏回流后形成,蚀刻凹槽(6)与锡球(7)由塑封体(8)包围连接;所述锡球(7)的横截面由磨屑形成,锡球(7)的横截面有镍钯金电镀层(9),所述锡球(10)浸锡回流后在镍钯金电镀层(9)上形成。
【技术特征摘要】
1.一种AAQFN 二次塑封与二次植球优化的封装件,其特征在于主要由蚀刻后铜引线框架(I)、粘片胶(2)、芯片(3)、键合线(4)、塑封料(5)和(8)、蚀刻凹槽(6)、锡球(7)和(10)、镍钯金电镀层(9)组成;所述的蚀刻后铜引线框架(I)是半蚀刻处理,其通过粘片胶(2)粘接芯片(3),芯片(3)通过键合线(4)与蚀刻后铜引线框架(I)的引脚相连,所述蚀刻后铜引线框架(I)、蚀刻后铜引线框架(I)的引脚、芯片(3)和键合线(4)由塑封体(5)包围连接;所述蚀刻凹槽(6)由蚀刻后铜引线框架(I)底部蚀刻后形成,所述锡球(7)由蚀刻后的引脚底部刷锡膏回流后形成,蚀刻凹槽(6)与锡球(7)由塑封体(8)包围连接;所述锡球(7)的横截面由磨屑形成,锡球(7)的横截面有镍钯金电镀层(9),所述锡球(10)浸锡回流后在镍钯金电镀层(9 )上形成。2.—种AAQFN 二次塑封与二次植球优化的封装件的制作工艺,其特征在于其按照以下步骤进行 第一步、铜引线框架蚀刻将铜引线框架进行半蚀刻,依据芯片pad分布结构,通过成熟的涂胶、曝光、显影、电镀及腐蚀等工艺,在铜板正面蚀刻出载体,互连线,I/O Pad,确定I/O Pad大小,脚间距和它们各自的位置; 第二步、晶圆减薄和划片在晶圆正面贴上胶膜,然后在专用减薄机上进行减薄达到工艺...
【专利技术属性】
技术研发人员:王虎,谌世广,刘卫东,李涛涛,马利,
申请(专利权)人:华天科技西安有限公司,
类型:发明
国别省市:
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