低冲击击穿电压气体放电管制造技术

技术编号:8514976 阅读:251 留言:0更新日期:2013-03-30 14:10
本实用新型专利技术涉及低冲击击穿电压气体放电管,包括瓷管、放电极、导电带和焊料片,瓷管内腔充有气体,瓷管内壁设有导电带,放电极置于瓷管内并通过焊料片分别封接在瓷管的两个端面上,其特征是瓷管的外壁上设置有导电层,导电层与瓷管端面的封接面连接成一体。本实用新型专利技术采用瓷管外壁上设置导电层,改变了电场分布,增加了导电带尖端的电场强度,电子、离子与气体分子总的碰幢次数增加,电离机率大大增加,有效弥补了因瓷管内壁导电带被覆盖所导致的冲击击穿电压急剧升高。本实用新型专利技术结构简单、运行可靠。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及气体放电管,具体而言是一种低冲击击穿电压气体放电管
技术介绍
目前记录在案的雷暴次数与十年前相比大约多出两倍,保护人和电气设备免受电压浪涌影响已变得格外重要。随着设备的低成本和小型化设计趋势,所使用的元器件的耐压水平也逐渐降低,于是对承担保护作用的气体放电管的要求越来越高。实践中通常用冲击击穿电压来衡量气体放电管的保护水平冲击击穿电压越低,气体放电管的保护水平越 闻。现有的气体放电管初始冲击击穿电压尚能满足要求,但在雷电流冲击后,由于放电管内部电子发射物质和金属放电极会在高速高密度电子撞击和高温蒸发的双重作用下飞溅到陶瓷内壁,导致瓷管内壁导电带被飞溅物屏蔽,导电带尖端作用大大下降,作为触发机构的功能会大大减弱或消失,因而冲击击穿电压急剧升高并且离散性显著变大,气体放电管的保护水平急剧降低。因此设计出一种不受雷电流影响并且结构简单、运行可靠的低冲击击穿电压气体放电管十分必要。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种不受雷电流影响并且结构简单、运行可靠的低冲击击穿电压气体放电管。为实现上述目的,本技术采用如下技术方案一种低冲击击穿电压气体放电管,包括瓷管、放电极、导电带和焊料片,瓷管内腔充有气体,瓷管内壁设有导电带,放电极置于瓷管内并通过焊料片分别封接在瓷管的两个端面上,其特征是瓷管的外壁上设置有导电层,导电层与瓷管端面的封接面连接成一体。进一步地,在上述方案中,所述导电层为两个,所述两个导电层分别与瓷管两端的封接面连接成一体,所述两个导电层之间的绝缘距离大于所述低冲击击穿电压气体放电管内部放电间隙。进一步地,在上述方案中,所述导电层紧贴在瓷管的外壁上。进一步地,在上述方案中,所述导电层为筒状。进一步地,在上述方案中,所述导电层和封接面为同一种金属。本技术采用瓷管外壁上设置导电层,改变了电场分布,增加了导电带尖端的电场强度,电子、离子与气体分子总的碰幢次数增加,电离机率大大增加,有效弥补了因瓷管内壁导电带被覆盖所导致的冲击击穿电压急剧升高。本技术结构简单、运行可靠。附图说明图1为本技术的结构示意图;图2为本技术一个实施例与现有技术的雷击试验对比图。具体实施方式以下结合附图及实施例对本技术作进一步的说明,但该实施例不应理解为对本技术的限制。本技术包括瓷管1、放电极2、导电带3和焊料片6,瓷管I内腔充有气体4,瓷管I内壁设有导电带3,放电极2置于瓷管I内并通过焊料片6分别封接在瓷管I的两个端面上,瓷管I的外壁上设置有导电层5,导电层5与瓷管I端面的封接面连接成一体。优选的实施例是,在上述方案中,所述导电层5为两个,所述两个导电层5分别与瓷管I两端的封接面连接成一体,所述两个导电层5之间的绝缘距离大于所述低冲击击穿电压气体放电管内部放电间隙。优选的实施例是,在上述方案中,所述导电层5紧贴在瓷管I的外壁上。优选的实施例是,在上述方案中,所述导电层5为筒状。·优选的实施例是,一种低冲击击穿电压气体放电管,包括瓷管1、放电极2、导电带3和焊料片6,瓷管I内腔充有气体4,瓷管I内壁设有导电带3,放电极2置于瓷管I内并通过焊料片6分别封接在瓷管I的两个端面上,放电管内部放电间隙为I毫米,瓷管I的外壁上设置有两个导电层5,两个导电层5分别与瓷管I两端的封接面连接成一体,所述两个导电层5之间的绝缘距离为4毫米,所述两个导电层5均为筒状并紧贴在瓷管I的外壁上,所述导电层5和封接面为金属镍。本实施例与现有技术进行雷击试验的对比结果如图2所示,图2中,横轴为冲击击穿电压值,纵轴为百分比,右侧实线为现有技术的冲击击穿电压参数分布,左侧虚线为本实施例的冲击击穿电压参数分布。从图中可见,采用本技术后,冲击击穿电压平均值有明显下降,由1081V降为848. 8V,离散性明显变好,冲击击穿电压最大值由1400V变为984V,标准差由118. 7变为80. 17。本说明书中未作详细描述的内容,属于本专业技术人员公知的现有技术。权利要求1.一种低冲击击穿电压气体放电管,包括瓷管(I)、放电极(2)、导电带(3)和焊料片(6),瓷管⑴内腔充有气体(4),瓷管⑴内壁设有导电带(3),放电极⑵置于瓷管⑴ 内并通过焊料片(6)分别封接在瓷管(I)的两个端面上,其特征在于瓷管(I)的外壁上设置有导电层(5),导电层(5)与瓷管(I)端面的封接面连接成一体。2.根据权利要求1所述的低冲击击穿电压气体放电管,其特征在于所述导电层(5) 为两个,所述两个导电层(5)分别与瓷管(I)两端的封接面连接成一体,所述两个导电层(5)之间的绝缘距离大于所述低冲击击穿电压气体放电管内部放电间隙。3.根据权利要求1或2所述的低冲击击穿电压气体放电管,其特征在于所述导电层(5)紧贴在瓷管(I)的外壁上。4.根据权利要求3所述的低冲击击穿电压气体放电管,其特征在于所述导电层(5) 为筒状。5.根据权利要求3所述的低冲击击穿电压气体放电管,其特征在于所述导电层(5) 和封接面为同一种金属。专利摘要本技术涉及低冲击击穿电压气体放电管,包括瓷管、放电极、导电带和焊料片,瓷管内腔充有气体,瓷管内壁设有导电带,放电极置于瓷管内并通过焊料片分别封接在瓷管的两个端面上,其特征是瓷管的外壁上设置有导电层,导电层与瓷管端面的封接面连接成一体。本技术采用瓷管外壁上设置导电层,改变了电场分布,增加了导电带尖端的电场强度,电子、离子与气体分子总的碰幢次数增加,电离机率大大增加,有效弥补了因瓷管内壁导电带被覆盖所导致的冲击击穿电压急剧升高。本技术结构简单、运行可靠。文档编号H01J17/04GK202839526SQ20122046120公开日2013年3月27日 申请日期2012年9月10日 优先权日2012年9月10日专利技术者张玉, 刘兵, 洪家平 申请人:爱普科斯电子(孝感)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低冲击击穿电压气体放电管,包括瓷管(1)、放电极(2)、导电带(3)和焊料片(6),瓷管(1)内腔充有气体(4),瓷管(1)内壁设有导电带(3),放电极(2)置于瓷管(1)内并通过焊料片(6)分别封接在瓷管(1)的两个端面上,其特征在于:瓷管(1)的外壁上设置有导电层(5),导电层(5)与瓷管(1)端面的封接面连接成一体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张玉刘兵洪家平
申请(专利权)人:爱普科斯电子孝感有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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