芯片容纳模块和用于形成芯片容纳模块的方法技术

技术编号:8413900 阅读:168 留言:0更新日期:2013-03-14 13:57
本发明专利技术涉及芯片容纳模块和用于形成芯片容纳模块的方法。提供了一种芯片容纳模块,其包括被配置成承载一个或多个芯片的载体;该载体包括:第一多个开口,其中第一多个开口中的每个开口隔开第一预定距离,并且被配置成接纳用于向芯片提供处于第一电压值范围内的电压的芯片连接;第二多个开口,其中第二多个开口中的每个开口隔开第二预定距离,并且被配置成接纳用于向芯片提供处于第二电压值范围内的电压的芯片连接;并且其中由第一多个开口中的一个开口和第二多个开口中的一个开口构成的开口对隔开与第一预定距离和第二预定距离中的至少一个不同的距离。

【技术实现步骤摘要】

各个实施例通常涉及一种芯片容纳模块和一种用于形成芯片容纳模块的方法。
技术介绍
传统上,如图I的图示100中所示,高电压功率半导体装置已被布置在离散的容纳模块(例如T0220-3,例如T0247-3)中以便确保高电压元件良好地彼此绝缘。因为这样的壳体通常是非常大的,这样的实践导致了高电压功率半导体壳体的巨大的板空间限制
技术实现思路
一个实施例提供了一种芯片容纳模块,其包括被配置成承载一个或多个芯片的载体;该载体包括第一多个开口,其中第一多个开口中的每个开口隔开第一预定距离,并且被配置成接纳用于向芯片提供处于第一电压值范围内的电压的芯片连接;该载体包括第二多个开口,其中第二多个开口中的每个开口隔开第二预定距离,并且被配置成接纳用于向芯片提供处于第二电压值范围内的电压的芯片连接;并且其中由第一多个开口中的一个开口和第二多个开口中的一个开口构成的开口对隔开与第一预定距离和第二预定距离中的至少一个不同的距离。附图说明在附图中,贯穿不同图,相同的附图标记通常表示相同的部件。附图不一定依据比例,而重点通常在于说明本专利技术的原理。在以下的描述中,参照附图来描述本专利技术的各个实施例,其中 图I示出了用于高电压芯片的壳体; 图2A示出了高电压应用灯镇流器电路; 图2B示出了与第二高电压芯片电连接的第一高电压芯片; 图3示出了用于单个芯片的芯片容纳模块; 图4A至4G示出了根据各个实施例的芯片容纳模块; 图5示出了用于形成芯片容纳模块的方法。具体实施例方式以下的详细描述参照借助于图示而示出具体细节以及其中可以实践本专利技术的实施例的附图。需要一种用于容纳高电压功率半导体装置的多芯片模块(MCM),以增加高电压应用中的功率半导体装置的集成密度。高电压应用可以包括高电压元件,例如AC/DC转换器、电机驱动器、功率因数校正装置和开关模式电源SMPS。多芯片模块可以用于容纳多个离散元件,例如高电压芯片。高电压芯片可以彼此电连接,例如可以以半桥配置连接的芯片,例如可以以全桥配置连接的芯片。图2A的图示200示出了根据一个实施例的、诸如包括半桥架构的灯镇流器电路202的高电压应用。灯镇流器电路202可以包括多个芯片,例如204、224、244。多个芯片中的每个包括高电压晶体管,例如CoolMOS 500V晶体管,例如LightMOS 600V晶体管。灯镇流器电路202可以包括多个芯片,例如电连接(例如以半桥配置电连接,例如以全桥配置电连接)的第一芯片204和第二芯片224。第一芯片204可以包括在第一芯片204中形成的第一晶体管206,第一晶体管206包括例如第一源 极/漏极端子的第一端子208、例如第二源极/漏极端子的第二端子212、以及例如栅极端子的第三端子214。第二芯片224可以包括在第二芯片224中形成的第二晶体管226,第二晶体管226包括例如第一源极/漏极端子的第一端子228、例如第二源极/漏极端子的第二端子232、以及例如栅极端子的第三端子234。灯镇流器电路202可以包括第三芯片244。第三芯片244可以包括在第三芯片244中形成的第三晶体管246,第三晶体管246包括例如第一源极/漏极端子的第一端子248、例如第二源极/漏极端子的第二端子252、以及例如栅极端子的第三端子254。第一芯片204可以与第二芯片224连接。第一芯片204可以与第二芯片224电连接。第一芯片204可以经由导电接口 238与第二芯片224电连接。例如在第一芯片204中形成的晶体管206的第二源极/漏极端子212的第二端子212可以与例如在第二芯片224中形成的晶体管226的第一源极/漏极端子228的第一端子228电连接。例如在第二芯片224中形成的晶体管226的第二源极/漏极端子232的第二端子232可以与大容量电容器236的第一端子电连接。例如在第一芯片204中形成的晶体管206的第一源极/漏极端子212的第一端子208可以与大容量电容器236的第二端子电连接。电源216可以被配置成向灯镇流器电路202提供范围从约85 V到约265 V的电压。电源216的第一端子可以连接到电阻器218的第一端子。电阻器218的第二端子可以连接到在第三芯片244中形成的晶体管246的第一端子248,并且进一步连接到二极管222的第一端子。晶体管246的第一端子248可以连接到二极管222的第一端子。晶体管246的第二端子252可以连接到电源216的第二端子。二极管222的第二端子可以连接到大容量电容器236的第一端子。晶体管246的第二端子252可以连接到大容量电容器236的第二端子。因此,大容量电容器236可以与晶体管246和二极管222并联连接。二极管222的第一端子可以包括二极管222的输入端子。二极管222的第二端子可以包括二极管222的输出端子。二极管222的第二端子和大容量电容器236的第一端子可以连接到晶体管226的第二端子232。大容量电容器236的第二端子和晶体管246的第二端子252可以连接到晶体管206的第一端子208。导电接口 238可以连接到另一电阻器242的第一端子和电容器256的第一端子。电容器256的第二端子可以连接到晶体管206的第一端子208。电阻器242的第二端子可以连接到另一电容器258的第一端子。另一电容器258的第二端子可以连接到灯262的第一端子。电容器256的第二端子可以连接到灯262的第二端子。在第一芯片204中形成的晶体管206可以包括高电压晶体管,例如LightMOS 600V。在第一芯片224中形成的晶体管226可以包括高电压晶体管,例如LightMOS 600V。在第三芯片244中形成的晶体管246可以包括高电压晶体管,例如CoolMOS 500V。多个高电压晶体管例如高电压功率晶体管,例如晶体管206、226、246,不能容纳在仅适用于容纳单个芯片的芯片容纳模块(诸如图3中所示的芯片模块)中。因此,需要一种例如多芯片模块的芯片容纳模块以容纳多个高电压芯片。例如多芯片模块的芯片容纳模块可以用于容纳包括彼此电连接的例如功率晶体管的一个或多个高电压芯片的电路的至少一部分。芯片容纳模块可以用于容纳多个彼此电连接(例如以半桥配置电连接,例如以全桥配置电连接)的晶体管。如图2B的图示210中所示,例如多芯片模块的芯片容纳模块可以用于容纳电路的至少一部分,例如灯镇流器电路202的至少一部分,所述电路202的所述至少一部分包括彼此电连接(例如以半桥配置电连接,例如以全桥配置电连接)的第一芯片204和第二芯片 224。芯片,例如第一芯片204,例如第二芯片224,可以包括半导体芯片。芯片,例如第一芯片204,例如第二芯片224,可以包括晶体管的至少一部分,例如高电压晶体管的至少一部分,例如功率晶体管的至少一部分。图4A示出了根据一个实施例的芯片容纳模块400。芯片容纳模块400可以包括被配置成承载例如芯片204和芯片224的一个或多个芯片的载体464。 载体464可以包括第一多个开口 466a、466b、466c,其中第一多个开口 466a、466b、466c中的每个开口可以隔开第一预定距离X’并且可以被配置成接纳用于向芯片提供处于第一电压值范围内的电压的芯片连接。载体可以包括第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片容纳模块,包括被配置成承载一个或多个芯片的载体;所述载体包括第一多个开口,其中所述第一多个开口中的每个开口隔开第一预定距离,并且被配置成接纳用于向芯片提供处于第一电压值范围内的电压的芯片连接;所述载体包括第二多个开口,其中所述第二多个开口中的每个开口隔开第二预定距离,并且被配置成接纳用于向芯片提供处于第二电压值范围内的电压的芯片连接;以及其中由所述第一多个开口中的一个开口和所述第二多个开口中的一个开口构成的开口对隔开与所述第一预定距离和所述第二预定距离中的至少一个不同的距离。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:R奥特伦巴
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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